YTF820 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: YTF820

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm

Тип корпуса: TO220AB

Аналог (замена) для YTF820

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

YTF820 даташит

 ..1. Size:68K  1
 ytf820.pdf pdf_icon

YTF820

 ..2. Size:288K  inchange semiconductor
 ytf820.pdf pdf_icon

YTF820

isc N-Channel MOSFET Transistor YTF820 FEATURES Drain Current I = 2.5A@ T =25 D C Drain Source Voltage V = 500V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R =3 (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. ABSOLU

Другие IGBT... YTF440, YTF450, YTF531, YTF540, YTF541, YTF630, YTF631, YTF640, 18N50, YTF840, 2SK3215, 2SK3216-01, 2SK3337N, 2SK3337W, 2SK3337-01, 2SK3338N, 2SK3338W