Справочник MOSFET. YTF820

 

YTF820 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: YTF820
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm
   Тип корпуса: TO220AB
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

YTF820 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:68K  1
 ytf820.pdf pdf_icon

YTF820

 ..2. Size:288K  inchange semiconductor
 ytf820.pdf pdf_icon

YTF820

isc N-Channel MOSFET Transistor YTF820FEATURESDrain Current : I = 2.5A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 500V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R =3(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand solenoid drive.ABSOLU

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: 2SK372 | FC8V36120L | AOT11N70 | IXTQ36N50P | HGB043N15S | SM4508NHKP | IXFP18N65X2

 

 
Back to Top

 


 
.