Справочник MOSFET. YTF820

 

YTF820 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: YTF820
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm
   Тип корпуса: TO220AB
 

 Аналог (замена) для YTF820

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

YTF820 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:68K  1
 ytf820.pdf pdf_icon

YTF820

 ..2. Size:288K  inchange semiconductor
 ytf820.pdf pdf_icon

YTF820

isc N-Channel MOSFET Transistor YTF820FEATURESDrain Current : I = 2.5A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 500V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R =3(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand solenoid drive.ABSOLU

Другие MOSFET... YTF440 , YTF450 , YTF531 , YTF540 , YTF541 , YTF630 , YTF631 , YTF640 , 75N75 , YTF840 , 2SK3215 , 2SK3216-01 , 2SK3337N , 2SK3337W , 2SK3337-01 , 2SK3338N , 2SK3338W .

History: CJ3139KDW | F5043 | CEB6060N | IXTQ96N15P | FDS5170N7 | APM4012NU

 

 
Back to Top

 


 
.