FCI7N60 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: FCI7N60
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 83 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 23 nC
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.6 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO262 I2PAK

Búsqueda de reemplazo de MOSFET FCI7N60

FCI7N60 Datasheet (PDF)

..1. Size:932K fairchild semi
fci7n60.pdf

December 2008 TMSuperFETFCI7N60 600V N-Channel MOSFETFeatures Description 650V @TJ = 150C SuperFETTM is, Fairchilds proprietary, new generation of highvoltage MOSFET family that is utilizing an advanced charge Typ. RDS(on) = 0.53balance mechanism for outstanding low on-resistance and Ultra Low Gate Charge (typ. Qg = 25nC) lower gate charge performance.

..2. Size:441K onsemi
fci7n60.pdf

Is Now Part ofTo learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.comPlease note: As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductors system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

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Liste

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