20N3LG-TO251 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: 20N3LG-TO251
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 28 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 53 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3 V
   Carga de la puerta (Qg): 33 nC
   Tiempo de subida (tr): 12 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 200 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.07(typ) Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251

Búsqueda de reemplazo de MOSFET 20N3LG-TO251

20N3LG-TO251 Datasheet (PDF)

..1. Size:808K cn vbsemi
20n3lg-to251.pdf

20N3LG TO251www.VBsemi.twN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) () Qg (Typ.)ID (A) TrenchFET Gen III Power MOSFET0.07 at VGS = 10 V 53 100 % Rg TestedRoHS30 19 nCCOMPLIANT 100 % UIS Tested0.09 at VGS = 4.5 V 48APPLICATIONSTO-251 DC/DC ConversionD- System PowerGSN-Channel MOSFET G D S

9.1. Size:1208K st
stl220n3llh7.pdf

STL220N3LLH7N-channel 30 V, 0.00081 typ., 50 A STripFET VII DeepGATE Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 packageDatasheet - production dataFeaturesOrder code VDS RDS(on) max IDSTL220N3LLH7 30 V 0.0011 50 A Very low on-resistance1 Very low Qg234 High avalanche ruggednessPowerFLAT5x6Applications Switching applicationsDescriptionFigure

9.2. Size:538K st
sts20n3llh6.pdf

STS20N3LLH6N-channel 30 V, 0.004 , 20 A, SO-8STripFET VI DeepGATE Power MOSFETFeaturesRDS(on) Type VDSS IDmaxSTS20N3LLH6 30 V 0.0047 20 A RDS(on) * Qg industry benchmark Extremely low on-resistance RDS(on) High avalanche ruggednessSO-8 Low gate drive power losses Very low switching gate chargeApplication Switching applicationsFigur

9.3. Size:991K infineon
ipb110n20n3lf.pdf

IPB110N20N3LFMOSFETDPAKOptiMOSTM 3 Linear FET, 200 VFeatures Ideal for hot-swap and e-fuse applications Very low on-resistance RDS(on) Wide safe operating area SOA N-channel, normal level 100% avalanche tested Pb-free plating; RoHS compliant Qualified according to JEDEC1) for target applications Halogen-free according to IEC61249-2-21Drain

9.4. Size:258K inchange semiconductor
ipb110n20n3lf.pdf

Isc N-Channel MOSFET Transistor IPB110N20N3LFFEATURESWith To-263(D2PAK) packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source

Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: