2SK1589-T1B Todos los transistores

 

2SK1589-T1B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SK1589-T1B
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.37 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.26 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 7 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.8(typ) Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

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2SK1589-T1B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2206K  cn vbsemi
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2SK1589-T1B

2SK1589-T1Bwww.VBsemi.twN-Channel 100-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (mA)Definition100 2.8 at VGS = 10 V Low Threshold: 2 V (typ.)260 Low Input Capacitance: 25 pF Fast Switching Speed: 25 ns Low Input and Output Leakage TrenchFET Power MOSFET Compliant to RoHS Directive 20

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2SK1589-T1B

SMD Type MOSFETN-Channel MOSFET2SK1589SOT-23-3Unit: mm+0.22.9 -0.1+0.10.4 -0.13 Features VDS (V) = 100V ID = 0.1 A1 2+0.02+0.10.15 -0.020.95 -0.1 RDS(ON) 30 (VGS = 4V)+0.11.9 -0.2 RDS(ON) 25 (VGS = 10V)1. Gate2. Source3. Drain Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Volta

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2SK1589-T1B

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2SK1589-T1B

SMD Type MOSFETN-Channel MOSFET2SK1589SOT-23Unit: mm+0.12.9 -0.1+0.10.4 -0.13 Features VDS (V) = 100V ID = 0.1 A1 2 RDS(ON) 30 (VGS = 4V) +0.1+0.050.95-0.1 0.1-0.01+0.11.9-0.1 RDS(ON) 25 (VGS = 10V)1. Gate2. Source3. Drain Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage VDS 1

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History: SFS9Z24 | STP35N10 | DG4N65-TO252 | STK38N3LLH5 | OSG60R180FT3F | STD38NH02L-1 | FQP8P10

 

 
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