2SK1589-T1B MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: 2SK1589-T1B
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.37 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.26 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 0.5 nC
Выходная емкость (Cd): 7 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 2.8(typ) Ohm
Тип корпуса: SOT23
Аналог (замена) для 2SK1589-T1B
2SK1589-T1B Datasheet (PDF)
2sk1589-t1b.pdf
2SK1589-T1Bwww.VBsemi.twN-Channel 100-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (mA)Definition100 2.8 at VGS = 10 V Low Threshold: 2 V (typ.)260 Low Input Capacitance: 25 pF Fast Switching Speed: 25 ns Low Input and Output Leakage TrenchFET Power MOSFET Compliant to RoHS Directive 20
2sk1589-3.pdf
SMD Type MOSFETN-Channel MOSFET2SK1589SOT-23-3Unit: mm+0.22.9 -0.1+0.10.4 -0.13 Features VDS (V) = 100V ID = 0.1 A1 2+0.02+0.10.15 -0.020.95 -0.1 RDS(ON) 30 (VGS = 4V)+0.11.9 -0.2 RDS(ON) 25 (VGS = 10V)1. Gate2. Source3. Drain Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Volta
2sk1589.pdf
SMD Type MOSFETN-Channel MOSFET2SK1589SOT-23Unit: mm+0.12.9 -0.1+0.10.4 -0.13 Features VDS (V) = 100V ID = 0.1 A1 2 RDS(ON) 30 (VGS = 4V) +0.1+0.050.95-0.1 0.1-0.01+0.11.9-0.1 RDS(ON) 25 (VGS = 10V)1. Gate2. Source3. Drain Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage VDS 1
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
