AP4565GM-30V Todos los transistores

 

AP4565GM-30V MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AP4565GM-30V

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 95 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.018 typ Ohm

Encapsulados: SO8

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AP4565GM-30V datasheet

 ..1. Size:890K  cn vbsemi
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AP4565GM-30V

AP4565GM&-30V www.VBsemi.tw N- and P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) Definition ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.018 at VGS = 10 V 8e 100 % Rg and UIS Tested N-Channel 30 0.020 at VGS = 8 V 8e 6.2 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 0.024 at VGS = 4.5 V 8e 0.032 a

 6.1. Size:94K  ape
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AP4565GM-30V

AP4565GM Pb Free Plating Product Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 40V D2 D2 D2 Low On-resistance D2 RDS(ON) 25m D1 D1 D1 D1 Fast Switching Performance ID 7.6A G2 G2 P-CH BVDSS -40V S2 S2 G1 SO-8 S1 G1 RDS(ON) 33m SO-8 S1 Descri

 9.1. Size:136K  ape
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AP4565GM-30V

AP4563GH-HF Halogen-Free Product Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 40V D1/D2 Good Thermal Performance RDS(ON) 30m Fast Switching Performance ID 8A S1 G1 S2 RoHS Compliant P-CH BVDSS -40V G2 RDS(ON) 36m TO-252-4L Description ID -7.3A Advanced Power MOSFETs from APEC provide the de

 9.2. Size:115K  ape
ap4569gm.pdf pdf_icon

AP4565GM-30V

AP4569GM Pb Free Plating Product Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 40V D2 D2 Fast Switching Performance RDS(ON) 36m D1 D1 RoHS Compliant ID 5.8A G2 P-CH BVDSS -40V S2 G1 S1 SO-8 RDS(ON) 68m Description ID -4.2A The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the be

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History: SPB80N06S2-05 | AOK22N50L | NTD4909N | SLF8N65SV

 

 

 

 

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