AP4565GM-30V MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AP4565GM-30V
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: NP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 95 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.018 typ Ohm
Encapsulados: SO8
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AP4565GM-30V datasheet
ap4565gm-30v.pdf
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ap4565gm.pdf
AP4565GM Pb Free Plating Product Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 40V D2 D2 D2 Low On-resistance D2 RDS(ON) 25m D1 D1 D1 D1 Fast Switching Performance ID 7.6A G2 G2 P-CH BVDSS -40V S2 S2 G1 SO-8 S1 G1 RDS(ON) 33m SO-8 S1 Descri
ap4563gh.pdf
AP4563GH-HF Halogen-Free Product Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 40V D1/D2 Good Thermal Performance RDS(ON) 30m Fast Switching Performance ID 8A S1 G1 S2 RoHS Compliant P-CH BVDSS -40V G2 RDS(ON) 36m TO-252-4L Description ID -7.3A Advanced Power MOSFETs from APEC provide the de
ap4569gm.pdf
AP4569GM Pb Free Plating Product Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 40V D2 D2 Fast Switching Performance RDS(ON) 36m D1 D1 RoHS Compliant ID 5.8A G2 P-CH BVDSS -40V S2 G1 S1 SO-8 RDS(ON) 68m Description ID -4.2A The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the be
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History: SPB80N06S2-05 | AOK22N50L | NTD4909N | SLF8N65SV
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Liste
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MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
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