Справочник MOSFET. AP4565GM-30V

 

AP4565GM-30V Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP4565GM-30V
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 95 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018(typ) Ohm
   Тип корпуса: SO8
 

 Аналог (замена) для AP4565GM-30V

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP4565GM-30V Datasheet (PDF)

 ..1. Size:890K  cn vbsemi
ap4565gm-30v.pdfpdf_icon

AP4565GM-30V

AP4565GM&-30Vwww.VBsemi.twN- and P-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () DefinitionID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.018 at VGS = 10 V 8e 100 % Rg and UIS TestedN-Channel 30 0.020 at VGS = 8 V 8e 6.2 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.024 at VGS = 4.5 V 8e0.032 a

 6.1. Size:94K  ape
ap4565gm.pdfpdf_icon

AP4565GM-30V

AP4565GMPb Free Plating ProductAdvanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFETSimple Drive Requirement N-CH BVDSS 40V D2D2D2Low On-resistance D2 RDS(ON) 25m D1D1D1D1Fast Switching Performance ID 7.6A G2G2P-CH BVDSS -40VS2S2G1SO-8 S1G1RDS(ON) 33mSO-8 S1Descri

 9.1. Size:136K  ape
ap4563gh.pdfpdf_icon

AP4565GM-30V

AP4563GH-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 40VD1/D2 Good Thermal Performance RDS(ON) 30m Fast Switching Performance ID 8AS1G1S2 RoHS Compliant P-CH BVDSS -40VG2RDS(ON) 36mTO-252-4LDescription ID -7.3AAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the de

 9.2. Size:115K  ape
ap4569gm.pdfpdf_icon

AP4565GM-30V

AP4569GMPb Free Plating ProductAdvanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 40VD2D2 Fast Switching Performance RDS(ON) 36mD1D1 RoHS Compliant ID 5.8AG2P-CH BVDSS -40VS2G1S1SO-8RDS(ON) 68mDescription ID -4.2AThe Advanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the be

Другие MOSFET... AP2300GN , AP2301N , AP2305GN , AP2306AGN , AP2306N , AP2308GE , AP2309AGN , AP2310GG , IRF1405 , AP4953M , AP85U03GH , AP9435GG , AP9435GK , AP9435K , AP9563M , AP9579GM , AP9997GH .

 

 
Back to Top

 


 
.