AP4565GM-30V - описание и поиск аналогов

 

AP4565GM-30V. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP4565GM-30V

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 95 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 typ Ohm

Тип корпуса: SO8

Аналог (замена) для AP4565GM-30V

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP4565GM-30V даташит

 ..1. Size:890K  cn vbsemi
ap4565gm-30v.pdfpdf_icon

AP4565GM-30V

AP4565GM&-30V www.VBsemi.tw N- and P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) Definition ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.018 at VGS = 10 V 8e 100 % Rg and UIS Tested N-Channel 30 0.020 at VGS = 8 V 8e 6.2 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 0.024 at VGS = 4.5 V 8e 0.032 a

 6.1. Size:94K  ape
ap4565gm.pdfpdf_icon

AP4565GM-30V

AP4565GM Pb Free Plating Product Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 40V D2 D2 D2 Low On-resistance D2 RDS(ON) 25m D1 D1 D1 D1 Fast Switching Performance ID 7.6A G2 G2 P-CH BVDSS -40V S2 S2 G1 SO-8 S1 G1 RDS(ON) 33m SO-8 S1 Descri

 9.1. Size:136K  ape
ap4563gh.pdfpdf_icon

AP4565GM-30V

AP4563GH-HF Halogen-Free Product Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 40V D1/D2 Good Thermal Performance RDS(ON) 30m Fast Switching Performance ID 8A S1 G1 S2 RoHS Compliant P-CH BVDSS -40V G2 RDS(ON) 36m TO-252-4L Description ID -7.3A Advanced Power MOSFETs from APEC provide the de

 9.2. Size:115K  ape
ap4569gm.pdfpdf_icon

AP4565GM-30V

AP4569GM Pb Free Plating Product Advanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Simple Drive Requirement N-CH BVDSS 40V D2 D2 Fast Switching Performance RDS(ON) 36m D1 D1 RoHS Compliant ID 5.8A G2 P-CH BVDSS -40V S2 G1 S1 SO-8 RDS(ON) 68m Description ID -4.2A The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the be

Другие MOSFET... AP2300GN , AP2301N , AP2305GN , AP2306AGN , AP2306N , AP2308GE , AP2309AGN , AP2310GG , IRF830 , AP4953M , AP85U03GH , AP9435GG , AP9435GK , AP9435K , AP9563M , AP9579GM , AP9997GH .

History: NTD5414N | IRLW620A

 

 

 

 

↑ Back to Top
.