AP9435GG Todos los transistores

 

AP9435GG MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AP9435GG

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 typ Ohm

Encapsulados: SOT89

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AP9435GG datasheet

 ..1. Size:833K  cn vbsemi
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AP9435GG

AP9435GG www.VBsemi.tw P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)d Qg (Typ.) Definition 0.050 at VGS = - 10 V - 7.6 TrenchFET Power MOSFET - 30 13 nC 100 % Rg Tested 0.056 at VGS = - 4.5 V - 6.0 APPLICATIONS Load Switch Battery Switch D S G G D S D P-Channel MOSFET ABS

 0.1. Size:57K  ape
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AP9435GG

AP9435GG-HF Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low Gate Charge BVDSS -30V D Fast Switching Characteristic RDS(ON) 50m Single Drive Requirement ID - 4.2A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description D Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, rugge

 7.1. Size:169K  ape
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AP9435GG

AP9435GM-HF Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -30V D D D Low Gate Charge RDS(ON) 50m D Fast Switching ID -5.3A G S RoHS Compliant S S SO-8 Description D Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized devic

 7.2. Size:98K  ape
ap9435gh ap9435gj.pdf pdf_icon

AP9435GG

AP9435GH/J RoHS-compliant Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low Gate Charge BVDSS -30V D Simple Drive Requirement RDS(ON) 50m Fast Switching ID - 20A G S Description G D Advanced Power MOSFETs utilized advanced processing techniques to S TO-252(H) achieve the lowest possible on-resistance, extremely efficient and cost-

Otros transistores... AP2306AGN , AP2306N , AP2308GE , AP2309AGN , AP2310GG , AP4565GM-30V , AP4953M , AP85U03GH , IRFB7545 , AP9435GK , AP9435K , AP9563M , AP9579GM , AP9997GH , APM1110NUC , APM2054NDC , APM2300CAC .

History: TK62N60X | ELM32414LA | STM8362 | R6007KNX

 

 

 

 

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