Справочник MOSFET. AP9435GG

 

AP9435GG Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP9435GG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05(typ) Ohm
   Тип корпуса: SOT89
 

 Аналог (замена) для AP9435GG

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP9435GG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:833K  cn vbsemi
ap9435gg.pdfpdf_icon

AP9435GG

AP9435GGwww.VBsemi.twP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ.)Definition0.050 at VGS = - 10 V - 7.6 TrenchFET Power MOSFET- 30 13 nC 100 % Rg Tested0.056 at VGS = - 4.5 V - 6.0APPLICATIONS Load Switch Battery SwitchDS G G D SD P-Channel MOSFET ABS

 0.1. Size:57K  ape
ap9435gg-hf.pdfpdf_icon

AP9435GG

AP9435GG-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low Gate Charge BVDSS -30VD Fast Switching Characteristic RDS(ON) 50m Single Drive Requirement ID - 4.2AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,rugge

 7.1. Size:169K  ape
ap9435gm-hf.pdfpdf_icon

AP9435GG

AP9435GM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -30VDDD Low Gate Charge RDS(ON) 50mD Fast Switching ID -5.3AGS RoHS CompliantSSSO-8DescriptionDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer withthe best combination of fast switching, ruggedized devic

 7.2. Size:98K  ape
ap9435gh ap9435gj.pdfpdf_icon

AP9435GG

AP9435GH/JRoHS-compliant ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low Gate Charge BVDSS -30VD Simple Drive Requirement RDS(ON) 50m Fast Switching ID - 20AGSDescriptionGDAdvanced Power MOSFETs utilized advanced processing techniques to S TO-252(H)achieve the lowest possible on-resistance, extremely efficient and cost-

Другие MOSFET... AP2306AGN , AP2306N , AP2308GE , AP2309AGN , AP2310GG , AP4565GM-30V , AP4953M , AP85U03GH , 8N60 , AP9435GK , AP9435K , AP9563M , AP9579GM , AP9997GH , APM1110NUC , APM2054NDC , APM2300CAC .

History: SVG103R0NKL | BLP02N06-Q | 2SK3274L | MCAC16N03 | BLS6G2731-6G | SIHFP048R | INK0003AM1

 

 
Back to Top

 


 
.