APM2701ACC-TRG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: APM2701ACC-TRG
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: NP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 1.15 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 20 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 5.5 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 0.6(min) V
Carga de la puerta (Qg): 2.1 nC
Tiempo de subida (tr): 9 nS
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.024 Ohm
Paquete / Cubierta: TSOP6
Búsqueda de reemplazo de MOSFET APM2701ACC-TRG
APM2701ACC-TRG Datasheet (PDF)
apm2701acc-trg.pdf
APM2701ACC-TRGwww.VBsemi.twN- and P-Channel 2 V (D-S) MOSFET0 FEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.024 at VGS = 10 V 5.5 TrenchFET Power MOSFETN-Channel 200.036 at VGS = 4.5 V 4.2 100 % Rg Tested0.069 at VGS = - 10 V - 3.4 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECP-Channel - 200.08
apm2701ac.pdf
APM2701AC Dual Enhancement Mode MOSFET (N- and P-Channel)Features Pin Description N-Channel 20V/3A,D2S1 RDS(ON)=50m(typ.) @ VGS=4.5VD1G2RDS(ON)=65m(typ.) @ VGS=2.5VS2G1 P-Channel-20V/-2A,Top View of SOT-23-6RDS(ON)=90m(typ.) @ VGS=-4.5V(4)D2RDS(ON)=130m(typ.) @ VGS=-2.5V (6)D1 Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices Available(
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APM2701ACwww.VBsemi.twN- and P-Channel 2 V (D-S) MOSFET0 FEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.024 at VGS = 10 V 5.5 TrenchFET Power MOSFETN-Channel 200.036 at VGS = 4.5 V 4.2 100 % Rg Tested0.069 at VGS = - 10 V - 3.4 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECP-Channel - 200.083 at
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SMD Type MOSFETSMD Type TrMOSFETSMDTypeSMDTypeSMDType rSMDType ICSMD Type ICSMD Type oICSMD Type ansistICsProduct specificationKDS3601Features1.3 A, 100 V. RDS(ON) = 480m @VGS =10 VRDS(ON) = 530m @VGS =6VLow gate charge (3.7 nC typical)Fast switching speedHigh performance trench technology for extremely low RDS(ON)High power and current handling capabilityAbs
Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
