APM2701ACC-TRG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: APM2701ACC-TRG
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.15 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 0.6(min) V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 2.1 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.024 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSOP6

Búsqueda de reemplazo de MOSFET APM2701ACC-TRG

APM2701ACC-TRG Datasheet (PDF)

..1. Size:925K cn vbsemi
apm2701acc-trg.pdf

APM2701ACC-TRGwww.VBsemi.twN- and P-Channel 2 V (D-S) MOSFET0 FEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.024 at VGS = 10 V 5.5 TrenchFET Power MOSFETN-Channel 200.036 at VGS = 4.5 V 4.2 100 % Rg Tested0.069 at VGS = - 10 V - 3.4 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECP-Channel - 200.08

5.1. Size:202K sino
apm2701ac.pdf

APM2701AC Dual Enhancement Mode MOSFET (N- and P-Channel)Features Pin Description N-Channel 20V/3A,D2S1 RDS(ON)=50m(typ.) @ VGS=4.5VD1G2RDS(ON)=65m(typ.) @ VGS=2.5VS2G1 P-Channel-20V/-2A,Top View of SOT-23-6RDS(ON)=90m(typ.) @ VGS=-4.5V(4)D2RDS(ON)=130m(typ.) @ VGS=-2.5V (6)D1 Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices Available(

5.2. Size:2463K cn vbsemi
apm2701ac.pdf

APM2701ACwww.VBsemi.twN- and P-Channel 2 V (D-S) MOSFET0 FEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.024 at VGS = 10 V 5.5 TrenchFET Power MOSFETN-Channel 200.036 at VGS = 4.5 V 4.2 100 % Rg Tested0.069 at VGS = - 10 V - 3.4 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECP-Channel - 200.083 at

7.1. Size:224K tysemi
apm2701cg.pdf

SMD Type MOSFETSMD Type TrMOSFETSMDTypeSMDTypeSMDType rSMDType ICSMD Type ICSMD Type oICSMD Type ansistICsProduct specificationKDS3601Features1.3 A, 100 V. RDS(ON) = 480m @VGS =10 VRDS(ON) = 530m @VGS =6VLow gate charge (3.7 nC typical)Fast switching speedHigh performance trench technology for extremely low RDS(ON)High power and current handling capabilityAbs

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: