APM2701ACC-TRG MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: APM2701ACC-TRG
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.15 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 20 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 0.6(min) V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 5.5 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 2.1 nC
Время нарастания (tr): 9 ns
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.024 Ohm
Тип корпуса: TSOP6
Аналог (замена) для APM2701ACC-TRG
APM2701ACC-TRG Datasheet (PDF)
apm2701acc-trg.pdf
APM2701ACC-TRGwww.VBsemi.twN- and P-Channel 2 V (D-S) MOSFET0 FEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.024 at VGS = 10 V 5.5 TrenchFET Power MOSFETN-Channel 200.036 at VGS = 4.5 V 4.2 100 % Rg Tested0.069 at VGS = - 10 V - 3.4 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECP-Channel - 200.08
apm2701ac.pdf
APM2701AC Dual Enhancement Mode MOSFET (N- and P-Channel)Features Pin Description N-Channel 20V/3A,D2S1 RDS(ON)=50m(typ.) @ VGS=4.5VD1G2RDS(ON)=65m(typ.) @ VGS=2.5VS2G1 P-Channel-20V/-2A,Top View of SOT-23-6RDS(ON)=90m(typ.) @ VGS=-4.5V(4)D2RDS(ON)=130m(typ.) @ VGS=-2.5V (6)D1 Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices Available(
apm2701ac.pdf
APM2701ACwww.VBsemi.twN- and P-Channel 2 V (D-S) MOSFET0 FEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.024 at VGS = 10 V 5.5 TrenchFET Power MOSFETN-Channel 200.036 at VGS = 4.5 V 4.2 100 % Rg Tested0.069 at VGS = - 10 V - 3.4 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECP-Channel - 200.083 at
apm2701cg.pdf
SMD Type MOSFETSMD Type TrMOSFETSMDTypeSMDTypeSMDType rSMDType ICSMD Type ICSMD Type oICSMD Type ansistICsProduct specificationKDS3601Features1.3 A, 100 V. RDS(ON) = 480m @VGS =10 VRDS(ON) = 530m @VGS =6VLow gate charge (3.7 nC typical)Fast switching speedHigh performance trench technology for extremely low RDS(ON)High power and current handling capabilityAbs
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: IRFH8316
