APM4550KC MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: APM4550KC
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 6 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 95 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.018(typ) Ohm
   Paquete / Cubierta: SO8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET APM4550KC

APM4550KC Datasheet (PDF)

..1. Size:1612K cn vbsemi
apm4550kc.pdf

APM4550KCwww.VBsemi.twN- and P-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () DefinitionID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.018 at VGS = 10 V 8e 100 % Rg and UIS TestedN-Channel 30 0.020 at VGS = 8 V 8e 6.2 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.024 at VGS = 4.5 V 8e0.032 at VG

6.1. Size:263K anpec
apm4550k.pdf

APM4550KDual Enhancement Mode MOSFET (N- and P-Channel)Features Pin Description N-Channel30V/7A,RDS(ON) = 20m (typ.) @ VGS = 10VRDS(ON) = 30m (typ.) @ VGS = 4.5V P-ChannelTop View of SOP - 8-30V/-5A,RDS(ON) = 40m (typ.) @ VGS = -10V(7) (8)(3)RDS(ON) = 62m (typ.) @ VGS = -4.5VD1 D1 S2 Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged(4) Lead Free Av

7.1. Size:241K anpec
apm4550j.pdf

APM4550JDual Enhancement Mode MOSFET (N- and P-Channel)Features Pin Description N-Channel30V/8A,RDS(ON) = 20m (typ.) @ VGS = 10VRDS(ON) = 30m (typ.) @ VGS = 4.5V P-ChannelTop View of DIP - 8-30V/-7A,RDS(ON) = 40m (typ.) @ VGS = -10VD1 D1 S2RDS(ON) = 62m (typ.) @ VGS = -4.5V Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged Lead Free Available (RoHS Compl

8.1. Size:265K anpec
apm4552k.pdf

APM4552KDual Enhancement Mode MOSFET (N- and P-Channel)Features Pin DescriptionD1 N-ChannelD1 D2 30V/7A,D2 RDS(ON) = 23m(typ.) @ VGS = 10V RDS(ON) = 34m(typ.) @ VGS = 4.5VS1 P-ChannelG1-30V/-5A, S2G2 RDS(ON) = 46m(typ.) @ VGS =-10V RDS(ON) = 62m(typ.) @ VGS =-4.5V Top View of SOP - 8 Super High Dense Cell Design(6) (5)(8) (7)D2 D2D1 D1

Otros transistores... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , RFP50N06 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: