APM4550KC Todos los transistores

 

APM4550KC MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: APM4550KC

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 95 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.018 typ Ohm

Encapsulados: SO8

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APM4550KC datasheet

 ..1. Size:1612K  cn vbsemi
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APM4550KC

APM4550KC www.VBsemi.tw N- and P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) Definition ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.018 at VGS = 10 V 8e 100 % Rg and UIS Tested N-Channel 30 0.020 at VGS = 8 V 8e 6.2 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 0.024 at VGS = 4.5 V 8e 0.032 at VG

 6.1. Size:263K  anpec
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APM4550KC

APM4550K Dual Enhancement Mode MOSFET (N- and P-Channel) Features Pin Description N-Channel 30V/7A, RDS(ON) = 20m (typ.) @ VGS = 10V RDS(ON) = 30m (typ.) @ VGS = 4.5V P-Channel Top View of SOP - 8 -30V/-5A, RDS(ON) = 40m (typ.) @ VGS = -10V (7) (8) (3) RDS(ON) = 62m (typ.) @ VGS = -4.5V D1 D1 S2 Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged (4) Lead Free Av

 7.1. Size:241K  anpec
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APM4550KC

APM4550J Dual Enhancement Mode MOSFET (N- and P-Channel) Features Pin Description N-Channel 30V/8A, RDS(ON) = 20m (typ.) @ VGS = 10V RDS(ON) = 30m (typ.) @ VGS = 4.5V P-Channel Top View of DIP - 8 -30V/-7A, RDS(ON) = 40m (typ.) @ VGS = -10V D1 D1 S2 RDS(ON) = 62m (typ.) @ VGS = -4.5V Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged Lead Free Available (RoHS Compl

 8.1. Size:265K  anpec
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APM4550KC

APM4552K Dual Enhancement Mode MOSFET (N- and P-Channel) Features Pin Description D1 N-Channel D1 D2 30V/7A, D2 RDS(ON) = 23m (typ.) @ VGS = 10V RDS(ON) = 34m (typ.) @ VGS = 4.5V S1 P-Channel G1 -30V/-5A, S2 G2 RDS(ON) = 46m (typ.) @ VGS =-10V RDS(ON) = 62m (typ.) @ VGS =-4.5V Top View of SOP - 8 Super High Dense Cell Design (6) (5) (8) (7) D2 D2 D1 D1

Otros transistores... APM3054NUC , APM3055LUC , APM4010NUC , APM4050APUC , APM4050PUC , APM4303KC , APM4330KC , APM4532KC , 10N60 , APM4828KC-TRL , APM4927KC , APM4953KC , APM7313KC , APM7318KC , APM8010KC , APM9435KC , APM9945KC .

History: APM4050PUC

 

 

 

 

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