APM4550KC MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: APM4550KC
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 6.8 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 6 nC
Время нарастания (tr): 11 ns
Выходная емкость (Cd): 95 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.018(typ) Ohm
Тип корпуса: SO8
APM4550KC Datasheet (PDF)
apm4550kc.pdf
APM4550KCwww.VBsemi.twN- and P-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () DefinitionID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.018 at VGS = 10 V 8e 100 % Rg and UIS TestedN-Channel 30 0.020 at VGS = 8 V 8e 6.2 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.024 at VGS = 4.5 V 8e0.032 at VG
apm4550k.pdf
APM4550KDual Enhancement Mode MOSFET (N- and P-Channel)Features Pin Description N-Channel30V/7A,RDS(ON) = 20m (typ.) @ VGS = 10VRDS(ON) = 30m (typ.) @ VGS = 4.5V P-ChannelTop View of SOP - 8-30V/-5A,RDS(ON) = 40m (typ.) @ VGS = -10V(7) (8)(3)RDS(ON) = 62m (typ.) @ VGS = -4.5VD1 D1 S2 Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged(4) Lead Free Av
apm4550j.pdf
APM4550JDual Enhancement Mode MOSFET (N- and P-Channel)Features Pin Description N-Channel30V/8A,RDS(ON) = 20m (typ.) @ VGS = 10VRDS(ON) = 30m (typ.) @ VGS = 4.5V P-ChannelTop View of DIP - 8-30V/-7A,RDS(ON) = 40m (typ.) @ VGS = -10VD1 D1 S2RDS(ON) = 62m (typ.) @ VGS = -4.5V Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged Lead Free Available (RoHS Compl
apm4552k.pdf
APM4552KDual Enhancement Mode MOSFET (N- and P-Channel)Features Pin DescriptionD1 N-ChannelD1 D2 30V/7A,D2 RDS(ON) = 23m(typ.) @ VGS = 10V RDS(ON) = 34m(typ.) @ VGS = 4.5VS1 P-ChannelG1-30V/-5A, S2G2 RDS(ON) = 46m(typ.) @ VGS =-10V RDS(ON) = 62m(typ.) @ VGS =-4.5V Top View of SOP - 8 Super High Dense Cell Design(6) (5)(8) (7)D2 D2D1 D1
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
