APM4953KC MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: APM4953KC
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 32 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 215 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.035(typ) Ohm
   Paquete / Cubierta: SO8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET APM4953KC

APM4953KC Datasheet (PDF)

..1. Size:850K cn vbsemi
apm4953kc.pdf

APM4953KCwww.VBsemi.twDual P-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)d, e Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.029 at VGS = - 10 V - 7.3 100 % UIS TestedRoHS- 30 17 nCCOMPLIANT0.039 at VGS = - 4.5 V - 6.3APPLICATIONS Load SwitchesS1 S2SO-8S1 1 D18G1 G2G1 2 D17S2 3 D26G2 4 D25Top Vi

6.1. Size:264K anpec
apm4953k.pdf

APM4953KDual P-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin DescriptionD1D1 -30V/-4.9A ,D2D2 RDS(ON)=53m (typ.) @ VGS=-10VRDS(ON)=80m (typ.) @ VGS=-4.5VS1 Reliable and RuggedG1S2G2 ESD ProtectionTop View of SOP 8 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)(1) (3)S1 S2Applications(2) (4)G1 G2 Power Management in Notebook Computer,Po

6.2. Size:265K sino
apm4953k.pdf

7.1. Size:219K anpec
apm4953.pdf

APM4953 Dual P-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description -30V/-4.9A, RDS(ON) = 53m(typ.) @ VGS = -10VS1 1 8 D1RDS(ON) = 80m(typ.) @ VGS = -4.5VG1 2 7 D1 Super High Density Cell DesignS2 3 6 D2 Reliable and RuggedG2 45 D2 SO-8 Package SO - 8Applications S1 S2 Power Managemen

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Liste

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