Справочник MOSFET. APM4953KC

 

APM4953KC Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: APM4953KC
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 215 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035(typ) Ohm
   Тип корпуса: SO8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

APM4953KC Datasheet (PDF)

 ..1. Size:850K  cn vbsemi
 apm4953kc.pdf pdf_icon

APM4953KC

APM4953KCwww.VBsemi.twDual P-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)d, e Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.029 at VGS = - 10 V - 7.3 100 % UIS TestedRoHS- 30 17 nCCOMPLIANT0.039 at VGS = - 4.5 V - 6.3APPLICATIONS Load SwitchesS1 S2SO-8S1 1 D18G1 G2G1 2 D17S2 3 D26G2 4 D25Top Vi

 6.1. Size:264K  anpec
 apm4953k.pdf pdf_icon

APM4953KC

APM4953KDual P-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin DescriptionD1D1 -30V/-4.9A ,D2D2 RDS(ON)=53m (typ.) @ VGS=-10VRDS(ON)=80m (typ.) @ VGS=-4.5VS1 Reliable and RuggedG1S2G2 ESD ProtectionTop View of SOP 8 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)(1) (3)S1 S2Applications(2) (4)G1 G2 Power Management in Notebook Computer,Po

 6.2. Size:265K  sino
 apm4953k.pdf pdf_icon

APM4953KC

APM4953KDual P-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin DescriptionD1D1 -30V/-4.9A ,D2D2 RDS(ON)=53m (typ.) @ VGS=-10VRDS(ON)=80m (typ.) @ VGS=-4.5VS1 Reliable and RuggedG1S2G2 ESD ProtectionTop View of SOP 8 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)(1) (3)S1 S2Applications(2) (4)G1 G2 Power Management in Notebook Computer,Po

 7.1. Size:219K  anpec
 apm4953.pdf pdf_icon

APM4953KC

APM4953 Dual P-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description -30V/-4.9A, RDS(ON) = 53m(typ.) @ VGS = -10VS1 1 8 D1RDS(ON) = 80m(typ.) @ VGS = -4.5VG1 2 7 D1 Super High Density Cell DesignS2 3 6 D2 Reliable and RuggedG2 45 D2 SO-8 Package SO - 8Applications S1 S2 Power Managemen

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: MTW7N80E | IRFP150FI | STM8300 | FDS9934C | RQ3E130MN | APT10050LVFR | SI1402DH

 

 
Back to Top

 


 
.