CMN2305M Todos los transistores

 

CMN2305M MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CMN2305M
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.035(typ) Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

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CMN2305M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:870K  cn vbsemi
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CMN2305M

CMN2305Mwww.VBsemi.twP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESMOSFET PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.035 at VGS = - 10 V - 5e TrenchFET Power MOSFETe- 20 0.043 at VGS = - 4.5 V - 5 10 nC 100 % Rg Tested0.061 at VGS = - 2.5 V - 4.8 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATION

Otros transistores... CEU20N06 , CEU50N06 , CHMP830JGP , CMD20N06L , CMD20P03 , CMD50N06B , CMD50P03 , CMD5950 , 4435 , CMU12N10 , CPH3427-TL , CSD17301Q5 , D10PF06 , D4NK50Z-TO252 , DMC2038LVT-7-F , DMC2700UDM-7 , DMC3018LSD-13 .

History: 2N65KL-TN3-R | IXFK64N60Q3 | VBZE60N02 | NVMFS5C645NL | NTD4970N-1G | IXTQ88N30P | ECH8674

 

 
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