D4NK50Z-TO252 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: D4NK50Z-TO252
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 177 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.1 Ohm
Encapsulados: TO252
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D4NK50Z-TO252 datasheet
d4nk50z-to252.pdf
D4NK50Z TO252 www.VBsemi.tw Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive VDS (V) 650 Available Requirement RDS(on) ( )VGS = 10 V 1.8 RoHS* Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt COMPLIANT Qg (Max.) (nC) 48 Ruggedness Qgs (nC) 12 Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage and Current Qgd (nC) 19 Compliant to R
stp4nk50z stp4nk50zfp std4nk50z std4nk50z-1.pdf
STP4NK50Z - STP4NK50ZFP STD4NK50Z - STD4NK50Z-1 N-CHANNEL 500V - 2.4 - 3A TO-220/TO-220FP/DPAK/IPAK Zener-Protected SuperMESH Power MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID Pw STP4NK50Z 500 V
std4nk50zt4.pdf
STP4NK50Z - STP4NK50ZFP STD4NK50Z - STD4NK50Z-1 N-CHANNEL 500V - 2.4 - 3A TO-220/TO-220FP/DPAK/IPAK Zener-Protected SuperMESH Power MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID Pw STP4NK50Z 500 V
std4nk50zd std4nk50zd-1 stf4nk50zd stp4nk50zd.pdf
STD4NK50ZD - STD4NK50ZD-1 STF4NK50ZD - STP4NK50ZD N-channel 500V - 2.4 - 3A - TO-220 - TO-220FP- DPAK - IPAK Fast diode SuperMESH Power MOSFET General features 3 Type VDSS RDS(on) ID Pw 1 STD4NK50ZD-1 500V
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