D4NK50Z-TO252 Todos los transistores

 

D4NK50Z-TO252 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: D4NK50Z-TO252
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 177 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.1 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
     - Selección de transistores por parámetros

 

D4NK50Z-TO252 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:927K  cn vbsemi
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D4NK50Z-TO252

D4NK50Z TO252www.VBsemi.twPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Low Gate Charge Qg Results in Simple DriveVDS (V) 650AvailableRequirementRDS(on) ()VGS = 10 V 1.8RoHS* Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dtCOMPLIANTQg (Max.) (nC) 48RuggednessQgs (nC) 12 Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltageand CurrentQgd (nC) 19 Compliant to R

 6.1. Size:666K  st
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D4NK50Z-TO252

STP4NK50Z - STP4NK50ZFPSTD4NK50Z - STD4NK50Z-1N-CHANNEL 500V - 2.4 - 3A TO-220/TO-220FP/DPAK/IPAKZener-Protected SuperMESHPower MOSFETTYPE VDSS RDS(on) ID PwSTP4NK50Z 500 V

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D4NK50Z-TO252

STP4NK50Z - STP4NK50ZFPSTD4NK50Z - STD4NK50Z-1N-CHANNEL 500V - 2.4 - 3A TO-220/TO-220FP/DPAK/IPAKZener-Protected SuperMESHPower MOSFETTYPE VDSS RDS(on) ID PwSTP4NK50Z 500 V

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D4NK50Z-TO252

STD4NK50ZD - STD4NK50ZD-1STF4NK50ZD - STP4NK50ZDN-channel 500V - 2.4 - 3A - TO-220 - TO-220FP- DPAK - IPAKFast diode SuperMESH Power MOSFETGeneral features3Type VDSS RDS(on) ID Pw1STD4NK50ZD-1 500V

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History: IXTP50N28T | 3SK249

 

 
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