D4NK50Z-TO252 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: D4NK50Z-TO252
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5 VQgⓘ - Carga de la puerta: 48(max) nC
trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 177 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.1 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET D4NK50Z-TO252
D4NK50Z-TO252 Datasheet (PDF)
d4nk50z-to252.pdf
D4NK50Z TO252www.VBsemi.twPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Low Gate Charge Qg Results in Simple DriveVDS (V) 650AvailableRequirementRDS(on) ()VGS = 10 V 1.8RoHS* Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dtCOMPLIANTQg (Max.) (nC) 48RuggednessQgs (nC) 12 Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltageand CurrentQgd (nC) 19 Compliant to R
stp4nk50z stp4nk50zfp std4nk50z std4nk50z-1.pdf
STP4NK50Z - STP4NK50ZFPSTD4NK50Z - STD4NK50Z-1N-CHANNEL 500V - 2.4 - 3A TO-220/TO-220FP/DPAK/IPAKZener-Protected SuperMESHPower MOSFETTYPE VDSS RDS(on) ID PwSTP4NK50Z 500 V
std4nk50zt4.pdf
STP4NK50Z - STP4NK50ZFPSTD4NK50Z - STD4NK50Z-1N-CHANNEL 500V - 2.4 - 3A TO-220/TO-220FP/DPAK/IPAKZener-Protected SuperMESHPower MOSFETTYPE VDSS RDS(on) ID PwSTP4NK50Z 500 V
std4nk50zd std4nk50zd-1 stf4nk50zd stp4nk50zd.pdf
STD4NK50ZD - STD4NK50ZD-1STF4NK50ZD - STP4NK50ZDN-channel 500V - 2.4 - 3A - TO-220 - TO-220FP- DPAK - IPAKFast diode SuperMESH Power MOSFETGeneral features3Type VDSS RDS(on) ID Pw1STD4NK50ZD-1 500V
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Liste
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