DMG6602S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: DMG6602S
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: NP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 1.15 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 20 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 5.5 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 0.6(min) V
Carga de la puerta (Qg): 2.1 nC
Tiempo de subida (tr): 9 nS
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.024 Ohm
Paquete / Cubierta: TSOP6
Búsqueda de reemplazo de MOSFET DMG6602S
DMG6602S Datasheet (PDF)
dmg6602s.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
DMG6602Swww.VBsemi.twN- and P-Channel 2 V (D-S) MOSFET0 FEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.024 at VGS = 10 V 5.5 TrenchFET Power MOSFETN-Channel 200.036 at VGS = 4.5 V 4.2 100 % Rg Tested0.069 at VGS = - 10 V - 3.4 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECP-Channel - 200.083 at V
dmg6602svtq.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
DMG6602SVTQ COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Low On-Resistance ID Device V(BR)DSS RDS(on) Low Input Capacitance TA = +25C Fast Switching Speed 60m @ VGS = 10V 3.4A Low Input/Output Leakage Q1 30V 100m @ VGS = 4.5V 2.7A Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antim
dmg6602svt.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
DMG6602SVT COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Low On-Resistance ID Device V(BR)DSS RDS(on) Low Input Capacitance TA = +25C Fast Switching Speed 60m @ VGS = 10V 3.4A Low Input/Output Leakage Q1 30V 100m @ VGS = 4.5V 2.7A Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Anti
dmg6601lvt.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
DMG6601LVTCOMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features ID max Complementary MOSFETDevice V(BR)DSS RDS(ON) max Package TA = +25C Low On-Resistance Low Input Capacitance 55m @ VGS = 10V TSOT26 3.8A Q1 30V Fast Switching Speed 65m @ VGS = 4.5V TSOT26 3.6A Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) 110m @ VGS =
Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .