Справочник MOSFET. DMG6602S

 

DMG6602S MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: DMG6602S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.15 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 20 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 0.6(min) V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 5.5 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 2.1 nC
   Время нарастания (tr): 9 ns
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.024 Ohm
   Тип корпуса: TSOP6

 Аналог (замена) для DMG6602S

 

 

DMG6602S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1546K  cn vbsemi
dmg6602s.pdf

DMG6602S
DMG6602S

DMG6602Swww.VBsemi.twN- and P-Channel 2 V (D-S) MOSFET0 FEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.024 at VGS = 10 V 5.5 TrenchFET Power MOSFETN-Channel 200.036 at VGS = 4.5 V 4.2 100 % Rg Tested0.069 at VGS = - 10 V - 3.4 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECP-Channel - 200.083 at V

 0.1. Size:511K  diodes
dmg6602svtq.pdf

DMG6602S
DMG6602S

DMG6602SVTQ COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Low On-Resistance ID Device V(BR)DSS RDS(on) Low Input Capacitance TA = +25C Fast Switching Speed 60m @ VGS = 10V 3.4A Low Input/Output Leakage Q1 30V 100m @ VGS = 4.5V 2.7A Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antim

 0.2. Size:506K  diodes
dmg6602svt.pdf

DMG6602S
DMG6602S

DMG6602SVT COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Low On-Resistance ID Device V(BR)DSS RDS(on) Low Input Capacitance TA = +25C Fast Switching Speed 60m @ VGS = 10V 3.4A Low Input/Output Leakage Q1 30V 100m @ VGS = 4.5V 2.7A Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Anti

 8.1. Size:382K  diodes
dmg6601lvt.pdf

DMG6602S
DMG6602S

DMG6601LVTCOMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features ID max Complementary MOSFETDevice V(BR)DSS RDS(ON) max Package TA = +25C Low On-Resistance Low Input Capacitance 55m @ VGS = 10V TSOT26 3.8A Q1 30V Fast Switching Speed 65m @ VGS = 4.5V TSOT26 3.6A Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) 110m @ VGS =

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top