DMG6602S - аналоги и даташиты транзистора

 

DMG6602S - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: DMG6602S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.15 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.024 Ohm
   Тип корпуса: TSOP6
 

 Аналог (замена) для DMG6602S

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DMG6602S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1546K  cn vbsemi
 dmg6602s.pdf pdf_icon

DMG6602S

DMG6602Swww.VBsemi.twN- and P-Channel 2 V (D-S) MOSFET0 FEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.024 at VGS = 10 V 5.5 TrenchFET Power MOSFETN-Channel 200.036 at VGS = 4.5 V 4.2 100 % Rg Tested0.069 at VGS = - 10 V - 3.4 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECP-Channel - 200.083 at V

 0.1. Size:511K  diodes
 dmg6602svtq.pdf pdf_icon

DMG6602S

DMG6602SVTQ COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Low On-Resistance ID Device V(BR)DSS RDS(on) Low Input Capacitance TA = +25C Fast Switching Speed 60m @ VGS = 10V 3.4A Low Input/Output Leakage Q1 30V 100m @ VGS = 4.5V 2.7A Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antim

 0.2. Size:506K  diodes
 dmg6602svt.pdf pdf_icon

DMG6602S

DMG6602SVT COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Low On-Resistance ID Device V(BR)DSS RDS(on) Low Input Capacitance TA = +25C Fast Switching Speed 60m @ VGS = 10V 3.4A Low Input/Output Leakage Q1 30V 100m @ VGS = 4.5V 2.7A Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Anti

 8.1. Size:382K  diodes
 dmg6601lvt.pdf pdf_icon

DMG6602S

DMG6601LVTCOMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features ID max Complementary MOSFETDevice V(BR)DSS RDS(ON) max Package TA = +25C Low On-Resistance Low Input Capacitance 55m @ VGS = 10V TSOT26 3.8A Q1 30V Fast Switching Speed 65m @ VGS = 4.5V TSOT26 3.6A Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) 110m @ VGS =

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... CSD17301Q5 , D10PF06 , D4NK50Z-TO252 , DMC2038LVT-7-F , DMC2700UDM-7 , DMC3018LSD-13 , DMG1013UW-7 , DMG3420U-7 , P60NF06 , DMG6968U-7 , DMN4468LSS-13 , DMN6040SK3-13 , DMN6068LK3-13 , DMN6068SE-13 , DMP3025LK3-13 , DMP3056LSD-13 , DTM4926 .

 

 
Back to Top

 


 
.