FDN304P-NL Todos los transistores

 

FDN304P-NL MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FDN304P-NL

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 150 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.055 Ohm

Encapsulados: SOT23

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FDN304P-NL datasheet

 ..1. Size:869K  cn vbsemi
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FDN304P-NL

FDN304P-NL www.VBsemi.tw P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET 100 % Rg Tested VDS (V) RDS(on) ( ) Typ. ID (A)a Qg (Typ.) 0.046 at VGS = - 10 V - 5.6 0.049 at VGS = - 6 V - 5 11.4 nC - 30 APPLICATIONS 0.054 at VGS = - 4.5 V -4.5 For Mobile Computing - Load Switch - Notebook Adaptor Switch S TO-236 - DC/DC Converter (SOT-

 6.1. Size:1458K  kexin
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FDN304P-NL

SMD Type MOSFET P-Channel MOSFET FDN304P (KDN304P) SOT-23-3 Unit mm +0.2 2.9-0.1 +0.1 0.4 -0.1 3 Features VDS (V) =-20V ID =-2.4A (VGS =-4.5V) 1 2 RDS(ON) 52m (VGS =-4.5V) +0.02 +0.1 0.15 -0.02 0.95 -0.1 +0.1 RDS(ON) 70m (VGS =-2.5V) 1.9-0.2 RDS(ON) 100m (VGS =-1.8V) 1.Gate 2.Source D 3.Drain G S Absolute Maximum Rati

 7.1. Size:113K  fairchild semi
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FDN304P-NL

January 2001 FDN304P P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET General Description Features This P-Channel 1.8V specified MOSFET uses 2.4 A, 20 V. RDS(ON) = 52 m @ VGS = 4.5 V Fairchild s advanced low voltage PowerTrench process. RDS(ON) = 70 m @ VGS = 2.5 V It has been optimized for battery power management RDS(ON) = 100 m @ VGS = 1.8

 7.2. Size:123K  fairchild semi
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FDN304P-NL

March 2003 FDN304PZ P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET General Description Features This P-Channel 1.8V specified MOSFET uses 2.4 A, 20 V. RDS(ON) = 52 m @ VGS = 4.5 V Fairchild s advanced low voltage PowerTrench process. RDS(ON) = 70 m @ VGS = 2.5 V It has been optimized for battery power management RDS(ON) = 100 m @ VGS = 1.8 V app

Otros transistores... E10P02 , EMB60N06A , EMFA0P02J , F3055L-TO252 , FDD390N15AL , FDD3N40TM , FDD8444-NL , FDD8580-6 , P60NF06 , FDN335N-NL , FDN337N-NL , FDN338P-NL , FDS4435-NL , FDS4450 , FDS4465-NL-9 , FDS4685-NL , FDS4897A .

 

 

 


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