FW342-TL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FW342-TL
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: NP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 95 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.018(typ) Ohm
Paquete / Cubierta: SO8
Búsqueda de reemplazo de FW342-TL MOSFET
FW342-TL Datasheet (PDF)
fw342-tl.pdf

FW342-TLwww.VBsemi.twN- and P-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () DefinitionID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.018 at VGS = 10 V 8e 100 % Rg and UIS TestedN-Channel 30 0.020 at VGS = 8 V 8e 6.2 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.024 at VGS = 4.5 V 8e0.032 at VGS
Otros transistores... FR9N20D , FSS210 , FTD2017 , FTD2017A , FTU36N06N , FU120N , FU9024N , FW232A-TL-E , IRFP260N , G2306A , G2309 , GE3401 , GF4435 , GT4953 , GTT8205S , H7N0308CF , HAF2007-90S .
History: AP2732GK | DMP21D0UFB | TPC8109 | STB50N25M5 | FK3F0301 | SSG4935P | TPC8116-H
History: AP2732GK | DMP21D0UFB | TPC8109 | STB50N25M5 | FK3F0301 | SSG4935P | TPC8116-H



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
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