G2306A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: G2306A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 1.1 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 5.3 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2 V
Carga de la puerta (Qg): 4.5 nC
Tiempo de subida (tr): 50 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 45 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.03(typ) Ohm
Paquete / Cubierta: SOT23
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G2306A Datasheet (PDF)
g2306a.pdf
G2306Awww.VBsemi.twN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.030 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFET6.530 4.5 nC 100 % Rg Tested0.033 at VGS = 4.5 V 6.0 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS DC/DC ConverterDTO-236(SOT-23)G 1
smg2306a.pdf
SMG2306A 5 A, 30 V, RDS(ON) 35 m N-Channel Enhancement Mode Power Mos.FET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free DESCRIPTION The SMG2306A utilized advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance, extremely efficient and cost-effectiveness device. The SMG2306A is universally used for all co
smg2306n.pdf
SMG2306N 3.5A , 30V , RDS(ON) 58 m N-Channel Enhancement Mode Mos.FET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen and lead-free DESCRIPTION SC-59 These miniature surface mount MOSFETs utilize High Cell Density process. Low RDS(on) assures minimal ALpower loss and conserves energy, making this device 33ideal for use in
smg2306ne.pdf
SMG2306NE 3.5A , 30V , RDS(ON) 58 m N-Channel Enhancement Mode Mos.FET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen and lead-free SC-59 DESCRIPTION These miniature surface mount MOSFETs utilize ALHigh Cell Density process. Low RDS(on) assures 33minimal power loss and conserves energy, making Top View C Bthis device i
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History: HM3400
