G2306A - аналоги и даташиты транзистора

 

G2306A - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: G2306A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 4.5 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03(typ) Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для G2306A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

G2306A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1868K  cn vbsemi
 g2306a.pdf pdf_icon

G2306A

G2306Awww.VBsemi.twN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.030 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFET6.530 4.5 nC 100 % Rg Tested0.033 at VGS = 4.5 V 6.0 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS DC/DC ConverterDTO-236(SOT-23)G 1

 0.1. Size:1026K  secos
 smg2306a.pdf pdf_icon

G2306A

SMG2306A 5 A, 30 V, RDS(ON) 35 m N-Channel Enhancement Mode Power Mos.FET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free DESCRIPTION The SMG2306A utilized advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance, extremely efficient and cost-effectiveness device. The SMG2306A is universally used for all co

 9.1. Size:560K  secos
 smg2306n.pdf pdf_icon

G2306A

SMG2306N 3.5A , 30V , RDS(ON) 58 m N-Channel Enhancement Mode Mos.FET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen and lead-free DESCRIPTION SC-59 These miniature surface mount MOSFETs utilize High Cell Density process. Low RDS(on) assures minimal ALpower loss and conserves energy, making this device 33ideal for use in

 9.2. Size:591K  secos
 smg2306ne.pdf pdf_icon

G2306A

SMG2306NE 3.5A , 30V , RDS(ON) 58 m N-Channel Enhancement Mode Mos.FET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen and lead-free SC-59 DESCRIPTION These miniature surface mount MOSFETs utilize ALHigh Cell Density process. Low RDS(on) assures 33minimal power loss and conserves energy, making Top View C Bthis device i

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FSS210 , FTD2017 , FTD2017A , FTU36N06N , FU120N , FU9024N , FW232A-TL-E , FW342-TL , 10N60 , G2309 , GE3401 , GF4435 , GT4953 , GTT8205S , H7N0308CF , HAF2007-90S , HAT1020RJ .

 

 
Back to Top

 


 
.