G2306A - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: G2306A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.1 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.3 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03(typ) Ohm
Тип корпуса: SOT23
Аналог (замена) для G2306A
G2306A Datasheet (PDF)
g2306a.pdf

G2306Awww.VBsemi.twN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.030 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFET6.530 4.5 nC 100 % Rg Tested0.033 at VGS = 4.5 V 6.0 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS DC/DC ConverterDTO-236(SOT-23)G 1
smg2306a.pdf

SMG2306A 5 A, 30 V, RDS(ON) 35 m N-Channel Enhancement Mode Power Mos.FET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free DESCRIPTION The SMG2306A utilized advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance, extremely efficient and cost-effectiveness device. The SMG2306A is universally used for all co
smg2306n.pdf

SMG2306N 3.5A , 30V , RDS(ON) 58 m N-Channel Enhancement Mode Mos.FET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen and lead-free DESCRIPTION SC-59 These miniature surface mount MOSFETs utilize High Cell Density process. Low RDS(on) assures minimal ALpower loss and conserves energy, making this device 33ideal for use in
smg2306ne.pdf

SMG2306NE 3.5A , 30V , RDS(ON) 58 m N-Channel Enhancement Mode Mos.FET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen and lead-free SC-59 DESCRIPTION These miniature surface mount MOSFETs utilize ALHigh Cell Density process. Low RDS(on) assures 33minimal power loss and conserves energy, making Top View C Bthis device i
Другие MOSFET... FSS210 , FTD2017 , FTD2017A , FTU36N06N , FU120N , FU9024N , FW232A-TL-E , FW342-TL , 10N60 , G2309 , GE3401 , GF4435 , GT4953 , GTT8205S , H7N0308CF , HAF2007-90S , HAT1020RJ .
History: AP0403GH-HF | MS5N60 | AP9410AGH | SWF18N60D | PSMN075-100MSE | SWF20N70K | WM02DN70M3
History: AP0403GH-HF | MS5N60 | AP9410AGH | SWF18N60D | PSMN075-100MSE | SWF20N70K | WM02DN70M3



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
tip41c transistor | 2n5087 | ksa1381 | bc546 | 2sc458 | a733 transistor | mpsa92 | tip142