IM2132 Todos los transistores

 

IM2132 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IM2132
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.035(typ) Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

 Búsqueda de reemplazo de IM2132 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

IM2132 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1883K  cn vbsemi
 im2132.pdf pdf_icon

IM2132

IM2132www.VBsemi.twP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESMOSFET PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.035 at VGS = - 10 V - 5e TrenchFET Power MOSFETe- 20 0.043 at VGS = - 4.5 V - 5 10 nC 100 % Rg Tested0.061 at VGS = - 2.5 V - 4.8 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS

Otros transistores... HM2310PR , HM25P06K , HM3400PR , HM4409 , HM4410 , HM70P04K , HM8810E , HS50N06DA , IRFB3607 , IM4435G , IPP048N04 , IPP048N06 , IRF3410 , IRF4435TR , IRF5305STR , IRF540NSTRPBF , IRF540ZP .

History: FHP20N50A | UPA2707GR | SWF4N70D1 | WMO2N100D1 | UPA2706GR | SIF4N60C | IRFB4332

 

 
Back to Top

 


 
.