IM2132. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IM2132

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 typ Ohm

Тип корпуса: SOT23

Аналог (замена) для IM2132

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IM2132 даташит

 ..1. Size:1883K  cn vbsemi
 im2132.pdf pdf_icon

IM2132

IM2132 www.VBsemi.tw P-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES MOSFET PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.035 at VGS = - 10 V - 5e TrenchFET Power MOSFET e - 20 0.043 at VGS = - 4.5 V - 5 10 nC 100 % Rg Tested 0.061 at VGS = - 2.5 V - 4.8 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS

Другие IGBT... HM2310PR, HM25P06K, HM3400PR, HM4409, HM4410, HM70P04K, HM8810E, HS50N06DA, K4145, IM4435G, IPP048N04, IPP048N06, IRF3410, IRF4435TR, IRF5305STR, IRF540NSTRPBF, IRF540ZP