Справочник MOSFET. IM2132

 

IM2132 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IM2132
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035(typ) Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для IM2132

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IM2132 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1883K  cn vbsemi
 im2132.pdf pdf_icon

IM2132

IM2132www.VBsemi.twP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESMOSFET PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.035 at VGS = - 10 V - 5e TrenchFET Power MOSFETe- 20 0.043 at VGS = - 4.5 V - 5 10 nC 100 % Rg Tested0.061 at VGS = - 2.5 V - 4.8 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS

Другие MOSFET... HM2310PR , HM25P06K , HM3400PR , HM4409 , HM4410 , HM70P04K , HM8810E , HS50N06DA , IRFB3607 , IM4435G , IPP048N04 , IPP048N06 , IRF3410 , IRF4435TR , IRF5305STR , IRF540NSTRPBF , IRF540ZP .

History: RU8080S | APT5010LFLL | SIA445EDJT | SI3853DV

 

 
Back to Top

 


 
.