IRF7313QTR MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRF7313QTR

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.78 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 55 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 117 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.022 typ Ohm

Encapsulados: SO8

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IRF7313QTR datasheet

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IRF7313QTR

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IRF7313QTR

PD - 96125 IRF7313QPbF HEXFET Power MOSFET l Advanced Process Technology 1 8 l Ultra Low On-Resistance S1 D1 VDSS = 30V l Dual N- Channel MOSFET 2 7 G1 D1 l Surface Mount 3 6 S2 D2 l Available in Tape & Reel 4 l 150 C Operating Temperature 5 G2 D2 RDS(on) = 0.029 l Automotive [Q101] Qualified l Lead-Free Top View Description Specifically designed for Automotive appl

 6.2. Size:218K  international rectifier
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IRF7313QTR

PD - 96125A IRF7313QPbF HEXFET Power MOSFET l Advanced Process Technology l Ultra Low On-Resistance 1 8 l Dual N- Channel MOSFET S1 D1 VDSS = 30V l Surface Mount 2 7 G1 D1 l Available in Tape & Reel 3 6 S2 D2 l 150 C Operating Temperature l Lead-Free 4 5 G2 D2 RDS(on) = 0.029 Description Top View These HEXFET Power MOSFET's in a Dual SO-8 package utilize the lastes

 6.3. Size:239K  international rectifier
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IRF7313QTR

PD - 97751 AUTOMOTIVE GRADE AUIRF7313Q HEXFET Power MOSFET Features l Advanced Planar Technology l Dual N Channel MOSFET V(BR)DSS 30V 1 8 S1 D1 l Low On-Resistance 2 7 G1 D1 l Dynamic dV/dT Rating RDS(on) typ. 23m 3 6 S2 D2 l 175 C Operating Temperature max. 29m 4 5 l Fast Switching G2 D2 l Lead-Free, RoHS Compliant ID 6.9A Top View l Automotive Qualified* Des

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