IRF7314TRPBF MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

IRF7314TRPBF MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRF7314TRPBF

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 215 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.035 typ Ohm

Encapsulados: SO8

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IRF7314TRPBF datasheet

..1. Size:909K cn vbsemi
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IRF7314TRPBF www.VBsemi.tw Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)d, e Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.029 at VGS = - 10 V - 7.3 100 % UIS Tested RoHS - 30 17 nC COMPLIANT 0.039 at VGS = - 4.5 V - 6.3 APPLICATIONS Load Switches S1 S2 SO-8 S1 1 D1 8 G1 G2 G1 2 D1 7 S2 3 D2 6 G2 4 D2 5 Top

7.1. Size:148K international rectifier
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7.2. Size:147K international rectifier
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PD - 9.1436B IRF7314 PRELIMINARY HEXFET Power MOSFET Generation V Technology 1 8 S1 D1 Ultra Low On-Resistance VDSS = -20V 2 7 Dual P-Channel MOSFET G1 D1 Surface Mount 3 6 S2 D2 Fully Avalanche Rated 4 5 G2 D2 RDS(on) = 0.058 Top View Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely l

7.3. Size:195K international rectifier
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PD - 95181 IRF7314PbF HEXFET Power MOSFET l Generation V Technology 1 8 S1 D1 l Ultra Low On-Resistance VDSS = -20V 2 7 l Dual P-Channel MOSFET G1 D1 l Surface Mount 3 6 S2 D2 l Fully Avalanche Rated 4 5 G2 D2 l Lead-Free RDS(on) = 0.058 Top View Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extreme

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