Справочник MOSFET. IRF7314TRPBF

 

IRF7314TRPBF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRF7314TRPBF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 215 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035(typ) Ohm
   Тип корпуса: SO8
 

 Аналог (замена) для IRF7314TRPBF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF7314TRPBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:909K  cn vbsemi
irf7314trpbf.pdfpdf_icon

IRF7314TRPBF

IRF7314TRPBFwww.VBsemi.twDual P-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)d, e Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.029 at VGS = - 10 V - 7.3 100 % UIS TestedRoHS- 30 17 nCCOMPLIANT0.039 at VGS = - 4.5 V - 6.3APPLICATIONS Load SwitchesS1 S2SO-8S1 1 D18G1 G2G1 2 D17S2 3 D26G2 4 D25Top

 7.1. Size:148K  international rectifier
irf7314q.pdfpdf_icon

IRF7314TRPBF

PD -93945AIRF7314QHEXFET Power MOSFETTypical ApplicationsVDSS RDS(on) max ID Anti-lock Braking Systems (ABS) -20V 0.058@VGS = -4.5V -5.2A Electronic Fuel Injection0.098@VGS = -2.7V -4.42A Air bagBenefits Advanced Process Technology Dual P-Channel MOSFET1 8S1 D1 Ultra Low On-Resistance2 7G1 D1 175C Operating Temperature3 6S2 D2

 7.2. Size:147K  international rectifier
irf7314.pdfpdf_icon

IRF7314TRPBF

PD - 9.1436BIRF7314PRELIMINARYHEXFET Power MOSFET Generation V Technology1 8S1 D1 Ultra Low On-ResistanceVDSS = -20V2 7 Dual P-Channel MOSFETG1 D1 Surface Mount3 6S2 D2 Fully Avalanche Rated45G2 D2RDS(on) = 0.058Top ViewDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achieveextremely l

 7.3. Size:195K  international rectifier
irf7314pbf.pdfpdf_icon

IRF7314TRPBF

PD - 95181IRF7314PbFHEXFET Power MOSFETl Generation V Technology1 8S1 D1l Ultra Low On-ResistanceVDSS = -20V2 7l Dual P-Channel MOSFETG1 D1l Surface Mount3 6S2 D2l Fully Avalanche Rated4 5G2 D2l Lead-Free RDS(on) = 0.058Top ViewDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achieveextreme

Другие MOSFET... IRF7303TR , IRF7304QTR , IRF7306QTR , IRF7306TR , IRF7309TRPBF , IRF7311TR , IRF7313QTR , IRF7313TR , AO3401 , IRF7317TR , IRF7319TR , IRF7321D2TRPBF , IRF7324TR , IRF7341TRPBF , IRF7342QTR , IRF7342TR , IRF7343QTR .

History: AUIRF7342Q | SSI6N70A | TK8S06K3L | RD01MUS2 | SIR638DP | SRT15N075HS2

 

 
Back to Top

 


 
.