IRF7314TRPBF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IRF7314TRPBF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 7.3 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 32 nC
Время нарастания (tr): 8 ns
Выходная емкость (Cd): 215 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.035(typ) Ohm
Тип корпуса: SO8
Аналог (замена) для IRF7314TRPBF
IRF7314TRPBF Datasheet (PDF)
irf7314trpbf.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
IRF7314TRPBFwww.VBsemi.twDual P-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)d, e Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.029 at VGS = - 10 V - 7.3 100 % UIS TestedRoHS- 30 17 nCCOMPLIANT0.039 at VGS = - 4.5 V - 6.3APPLICATIONS Load SwitchesS1 S2SO-8S1 1 D18G1 G2G1 2 D17S2 3 D26G2 4 D25Top
irf7314q.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
PD -93945AIRF7314QHEXFET Power MOSFETTypical ApplicationsVDSS RDS(on) max ID Anti-lock Braking Systems (ABS) -20V 0.058@VGS = -4.5V -5.2A Electronic Fuel Injection0.098@VGS = -2.7V -4.42A Air bagBenefits Advanced Process Technology Dual P-Channel MOSFET1 8S1 D1 Ultra Low On-Resistance2 7G1 D1 175C Operating Temperature3 6S2 D2
irf7314.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
PD - 9.1436BIRF7314PRELIMINARYHEXFET Power MOSFET Generation V Technology1 8S1 D1 Ultra Low On-ResistanceVDSS = -20V2 7 Dual P-Channel MOSFETG1 D1 Surface Mount3 6S2 D2 Fully Avalanche Rated45G2 D2RDS(on) = 0.058Top ViewDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achieveextremely l
irf7314pbf.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
PD - 95181IRF7314PbFHEXFET Power MOSFETl Generation V Technology1 8S1 D1l Ultra Low On-ResistanceVDSS = -20V2 7l Dual P-Channel MOSFETG1 D1l Surface Mount3 6S2 D2l Fully Avalanche Rated4 5G2 D2l Lead-Free RDS(on) = 0.058Top ViewDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achieveextreme
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
![IRF7314TRPBF](https://alltransistors.com/images/us.png)
![IRF7314TRPBF](https://alltransistors.com/images/es.png)
![IRF7314TRPBF](https://alltransistors.com/images/ru.png)
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BSS123K2 | BRU26N50 | BRU24N50 | BRI7N65 | BRI7N60 | BRI740 | BRI65R380C | BRI5N65 | BRI50N06 | BRI4N70 | BRI2N70 | BRGN250N65YK | BRFL8N65 | BRFL7N65S | BRFL70R360C | BRFL65R380C