IRF7342QTR Todos los transistores

 

IRF7342QTR MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRF7342QTR
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 32 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 210 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.054(typ) Ohm
   Paquete / Cubierta: SO8
 

 Búsqueda de reemplazo de IRF7342QTR MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

IRF7342QTR Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2614K  cn vbsemi
 irf7342qtr.pdf pdf_icon

IRF7342QTR

IRF7342QTRwww.VBsemi.twDual P-Channel 6 0-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)d, e Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.059 at VGS = - 10 V - 5.3 100 % UIS TestedRoHS- 60 17 nCCOMPLIANT0.069 at VGS = - 4.5 V - 5.0APPLICATIONS Load SwitchesS1 S2SO-8S1 1 D18G1 G2G1 2 D17S2 3 D26G2 4 D25Top

 6.1. Size:172K  1
 auirf7342q.pdf pdf_icon

IRF7342QTR

PD - 97640AUTOMOTIVE GRADEAUIRF7342Q Advanced Planar Technology Low On-Resistance HEXFET Power MOSFET Dual P-Channel MOSFET Dynamic dV/dT Rating 1 8S1 D1V(BR)DSS-55V 150C Operating Temperature 2 7G1 D1 Fast Switching 3 6S2 D2RDS(on) max.0.105 Fully Avalanche Rated 4 5G2 D2 Lead-Free, RoHS CompliantID-3.4ATop View Autom

 6.2. Size:183K  international rectifier
 irf7342qpbf.pdf pdf_icon

IRF7342QTR

PD - 96109IRF7342QPbFHEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology Ultra Low On-Resistance 1 8S1 D1 Dual P Channel MOSFETVDSS = -55V2 7G1 D1 Surface Mount3 6 Available in Tape & ReelS2 D2 150C Operating Temperature4 5G2 D2RDS(on) = 0.105 Automotive [Q101] Qualified Lead-FreeTop ViewDescriptionSpecifically designed for Automotive applications,

 6.3. Size:267K  infineon
 auirf7342q.pdf pdf_icon

IRF7342QTR

AUTOMOTIVE GRADE AUIRF7342Q VDSS 1 8S1 D1Features -55V 2 7G1 D1 Advanced Planar Technology 3 6RDS(on) max. S2 D2 Low On-Resistance 0.1054 5G2 D2 Logic Level Gate Drive ID -3.4A Dual P Channel MOSFET Top View Dynamic dv/dt Rating 150C Operating Temperature Fast Switching Fully Avalanche Rated Lead-Free, RoHS

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... IRF7313QTR , IRF7313TR , IRF7314TRPBF , IRF7317TR , IRF7319TR , IRF7321D2TRPBF , IRF7324TR , IRF7341TRPBF , MMIS60R580P , IRF7342TR , IRF7343QTR , IRF7343TRPBF , IRF7379TR , IRF7404TR , IRF7410TR , IRF7413TRPBF , IRF7416TRPBF .

History: NCE3415E | NP36N055SLE

 

 
Back to Top

 


 
.