IRF7342QTR. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRF7342QTR

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 210 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.054 typ Ohm

Тип корпуса: SO8

Аналог (замена) для IRF7342QTR

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF7342QTR даташит

 ..1. Size:2614K  cn vbsemi
 irf7342qtr.pdf pdf_icon

IRF7342QTR

IRF7342QTR www.VBsemi.tw Dual P-Channel 6 0-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)d, e Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.059 at VGS = - 10 V - 5.3 100 % UIS Tested RoHS - 60 17 nC COMPLIANT 0.069 at VGS = - 4.5 V - 5.0 APPLICATIONS Load Switches S1 S2 SO-8 S1 1 D1 8 G1 G2 G1 2 D1 7 S2 3 D2 6 G2 4 D2 5 Top

 6.1. Size:172K  1
 auirf7342q.pdf pdf_icon

IRF7342QTR

PD - 97640 AUTOMOTIVE GRADE AUIRF7342Q Advanced Planar Technology Low On-Resistance HEXFET Power MOSFET Dual P-Channel MOSFET Dynamic dV/dT Rating 1 8 S1 D1 V(BR)DSS -55V 150 C Operating Temperature 2 7 G1 D1 Fast Switching 3 6 S2 D2 RDS(on) max. 0.105 Fully Avalanche Rated 4 5 G2 D2 Lead-Free, RoHS Compliant ID -3.4A Top View Autom

 6.2. Size:183K  international rectifier
 irf7342qpbf.pdf pdf_icon

IRF7342QTR

PD - 96109 IRF7342QPbF HEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology Ultra Low On-Resistance 1 8 S1 D1 Dual P Channel MOSFET VDSS = -55V 2 7 G1 D1 Surface Mount 3 6 Available in Tape & Reel S2 D2 150 C Operating Temperature 4 5 G2 D2 RDS(on) = 0.105 Automotive [Q101] Qualified Lead-Free Top View Description Specifically designed for Automotive applications,

 6.3. Size:267K  infineon
 auirf7342q.pdf pdf_icon

IRF7342QTR

AUTOMOTIVE GRADE AUIRF7342Q VDSS 1 8 S1 D1 Features -55V 2 7 G1 D1 Advanced Planar Technology 3 6 RDS(on) max. S2 D2 Low On-Resistance 0.105 4 5 G2 D2 Logic Level Gate Drive ID -3.4A Dual P Channel MOSFET Top View Dynamic dv/dt Rating 150 C Operating Temperature Fast Switching Fully Avalanche Rated Lead-Free, RoHS

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRF7313QTR, IRF7313TR, IRF7314TRPBF, IRF7317TR, IRF7319TR, IRF7321D2TRPBF, IRF7324TR, IRF7341TRPBF, 7N60, IRF7342TR, IRF7343QTR, IRF7343TRPBF, IRF7379TR, IRF7404TR, IRF7410TR, IRF7413TRPBF, IRF7416TRPBF