Справочник MOSFET. IRF7342QTR

 

IRF7342QTR Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRF7342QTR
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 210 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.054(typ) Ohm
   Тип корпуса: SO8
 

 Аналог (замена) для IRF7342QTR

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF7342QTR Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2614K  cn vbsemi
irf7342qtr.pdfpdf_icon

IRF7342QTR

IRF7342QTRwww.VBsemi.twDual P-Channel 6 0-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)d, e Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.059 at VGS = - 10 V - 5.3 100 % UIS TestedRoHS- 60 17 nCCOMPLIANT0.069 at VGS = - 4.5 V - 5.0APPLICATIONS Load SwitchesS1 S2SO-8S1 1 D18G1 G2G1 2 D17S2 3 D26G2 4 D25Top

 6.1. Size:172K  1
auirf7342q.pdfpdf_icon

IRF7342QTR

PD - 97640AUTOMOTIVE GRADEAUIRF7342Q Advanced Planar Technology Low On-Resistance HEXFET Power MOSFET Dual P-Channel MOSFET Dynamic dV/dT Rating 1 8S1 D1V(BR)DSS-55V 150C Operating Temperature 2 7G1 D1 Fast Switching 3 6S2 D2RDS(on) max.0.105 Fully Avalanche Rated 4 5G2 D2 Lead-Free, RoHS CompliantID-3.4ATop View Autom

 6.2. Size:183K  international rectifier
irf7342qpbf.pdfpdf_icon

IRF7342QTR

PD - 96109IRF7342QPbFHEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology Ultra Low On-Resistance 1 8S1 D1 Dual P Channel MOSFETVDSS = -55V2 7G1 D1 Surface Mount3 6 Available in Tape & ReelS2 D2 150C Operating Temperature4 5G2 D2RDS(on) = 0.105 Automotive [Q101] Qualified Lead-FreeTop ViewDescriptionSpecifically designed for Automotive applications,

 6.3. Size:267K  infineon
auirf7342q.pdfpdf_icon

IRF7342QTR

AUTOMOTIVE GRADE AUIRF7342Q VDSS 1 8S1 D1Features -55V 2 7G1 D1 Advanced Planar Technology 3 6RDS(on) max. S2 D2 Low On-Resistance 0.1054 5G2 D2 Logic Level Gate Drive ID -3.4A Dual P Channel MOSFET Top View Dynamic dv/dt Rating 150C Operating Temperature Fast Switching Fully Avalanche Rated Lead-Free, RoHS

Другие MOSFET... IRF7313QTR , IRF7313TR , IRF7314TRPBF , IRF7317TR , IRF7319TR , IRF7321D2TRPBF , IRF7324TR , IRF7341TRPBF , MMIS60R580P , IRF7342TR , IRF7343QTR , IRF7343TRPBF , IRF7379TR , IRF7404TR , IRF7410TR , IRF7413TRPBF , IRF7416TRPBF .

History: IPI26CN10N | IRFB52N15DPBF | KMB7D0NP30QA | STI33N65M2 | WMQ55P02T1 | STB36NF06LT4 | JSM3401L

 

 
Back to Top

 


 
.