IRF7342TR Todos los transistores

 

IRF7342TR MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRF7342TR
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 210 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.054(typ) Ohm
   Paquete / Cubierta: SO8
     - Selección de transistores por parámetros

 

IRF7342TR Datasheet (PDF)

 ..1. Size:856K  cn vbsemi
irf7342tr.pdf pdf_icon

IRF7342TR

IRF7342TRwww.VBsemi.twDual P-Channel 6 0-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)d, e Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.059 at VGS = - 10 V - 5.3 100 % UIS TestedRoHS- 60 17 nCCOMPLIANT0.069 at VGS = - 4.5 V - 5.0APPLICATIONS Load SwitchesS1 S2SO-8S1 1 D18G1 G2G1 2 D17S2 3 D26G2 4 D25Top V

 7.1. Size:172K  1
auirf7342q.pdf pdf_icon

IRF7342TR

PD - 97640AUTOMOTIVE GRADEAUIRF7342Q Advanced Planar Technology Low On-Resistance HEXFET Power MOSFET Dual P-Channel MOSFET Dynamic dV/dT Rating 1 8S1 D1V(BR)DSS-55V 150C Operating Temperature 2 7G1 D1 Fast Switching 3 6S2 D2RDS(on) max.0.105 Fully Avalanche Rated 4 5G2 D2 Lead-Free, RoHS CompliantID-3.4ATop View Autom

 7.2. Size:136K  international rectifier
irf7342.pdf pdf_icon

IRF7342TR

PD -91859IRF7342HEXFET Power MOSFET Generation V Technology1 8S1 D1 Ultra Low On-ResistanceVDSS = -55V2 7 Dual P-Channel MosfetG1 D1 Surface Mount3 6S2 D2 Available in Tape & Reel4 5G2 D2 Dynamic dv/dt RatingRDS(on) = 0.105 Fast SwitchingTop ViewDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniqu

 7.3. Size:158K  international rectifier
irf7342pbf.pdf pdf_icon

IRF7342TR

PD - 95200IRF7342PbFHEXFET Power MOSFETl Generation V Technologyl Ultra Low On-Resistance1 8l Dual P-Channel Mosfet S1 D1VDSS = -55Vl Surface Mount 2 7G1 D1l Available in Tape & Reel3 6S2 D2l Dynamic dv/dt Rating4 5G2 D2l Fast SwitchingRDS(on) = 0.105l Lead-FreeTop ViewDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanc

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History: SVS65R380DD4TR | WVM13N50 | SL3N06 | 2SJ665 | FDMQ8203 | AOB418

 

 
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