Справочник MOSFET. IRF7342TR

 

IRF7342TR Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRF7342TR
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 210 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.054(typ) Ohm
   Тип корпуса: SO8
 

 Аналог (замена) для IRF7342TR

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF7342TR Datasheet (PDF)

 ..1. Size:856K  cn vbsemi
irf7342tr.pdfpdf_icon

IRF7342TR

IRF7342TRwww.VBsemi.twDual P-Channel 6 0-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)d, e Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.059 at VGS = - 10 V - 5.3 100 % UIS TestedRoHS- 60 17 nCCOMPLIANT0.069 at VGS = - 4.5 V - 5.0APPLICATIONS Load SwitchesS1 S2SO-8S1 1 D18G1 G2G1 2 D17S2 3 D26G2 4 D25Top V

 7.1. Size:172K  1
auirf7342q.pdfpdf_icon

IRF7342TR

PD - 97640AUTOMOTIVE GRADEAUIRF7342Q Advanced Planar Technology Low On-Resistance HEXFET Power MOSFET Dual P-Channel MOSFET Dynamic dV/dT Rating 1 8S1 D1V(BR)DSS-55V 150C Operating Temperature 2 7G1 D1 Fast Switching 3 6S2 D2RDS(on) max.0.105 Fully Avalanche Rated 4 5G2 D2 Lead-Free, RoHS CompliantID-3.4ATop View Autom

 7.2. Size:136K  international rectifier
irf7342.pdfpdf_icon

IRF7342TR

PD -91859IRF7342HEXFET Power MOSFET Generation V Technology1 8S1 D1 Ultra Low On-ResistanceVDSS = -55V2 7 Dual P-Channel MosfetG1 D1 Surface Mount3 6S2 D2 Available in Tape & Reel4 5G2 D2 Dynamic dv/dt RatingRDS(on) = 0.105 Fast SwitchingTop ViewDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniqu

 7.3. Size:158K  international rectifier
irf7342pbf.pdfpdf_icon

IRF7342TR

PD - 95200IRF7342PbFHEXFET Power MOSFETl Generation V Technologyl Ultra Low On-Resistance1 8l Dual P-Channel Mosfet S1 D1VDSS = -55Vl Surface Mount 2 7G1 D1l Available in Tape & Reel3 6S2 D2l Dynamic dv/dt Rating4 5G2 D2l Fast SwitchingRDS(on) = 0.105l Lead-FreeTop ViewDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanc

Другие MOSFET... IRF7313TR , IRF7314TRPBF , IRF7317TR , IRF7319TR , IRF7321D2TRPBF , IRF7324TR , IRF7341TRPBF , IRF7342QTR , RU7088R , IRF7343QTR , IRF7343TRPBF , IRF7379TR , IRF7404TR , IRF7410TR , IRF7413TRPBF , IRF7416TRPBF , IRF7424TRPBF .

History: HM2310 | 9N90C | IRLS4030PBF | STK830D | WMJ020N10HGS | TK80S04K3L

 

 
Back to Top

 


 
.