IRF7342TR. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRF7342TR

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 210 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.054 typ Ohm

Тип корпуса: SO8

Аналог (замена) для IRF7342TR

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF7342TR даташит

 ..1. Size:856K  cn vbsemi
irf7342tr.pdfpdf_icon

IRF7342TR

IRF7342TR www.VBsemi.tw Dual P-Channel 6 0-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)d, e Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.059 at VGS = - 10 V - 5.3 100 % UIS Tested RoHS - 60 17 nC COMPLIANT 0.069 at VGS = - 4.5 V - 5.0 APPLICATIONS Load Switches S1 S2 SO-8 S1 1 D1 8 G1 G2 G1 2 D1 7 S2 3 D2 6 G2 4 D2 5 Top V

 7.1. Size:172K  1
auirf7342q.pdfpdf_icon

IRF7342TR

PD - 97640 AUTOMOTIVE GRADE AUIRF7342Q Advanced Planar Technology Low On-Resistance HEXFET Power MOSFET Dual P-Channel MOSFET Dynamic dV/dT Rating 1 8 S1 D1 V(BR)DSS -55V 150 C Operating Temperature 2 7 G1 D1 Fast Switching 3 6 S2 D2 RDS(on) max. 0.105 Fully Avalanche Rated 4 5 G2 D2 Lead-Free, RoHS Compliant ID -3.4A Top View Autom

 7.2. Size:136K  international rectifier
irf7342.pdfpdf_icon

IRF7342TR

PD -91859 IRF7342 HEXFET Power MOSFET Generation V Technology 1 8 S1 D1 Ultra Low On-Resistance VDSS = -55V 2 7 Dual P-Channel Mosfet G1 D1 Surface Mount 3 6 S2 D2 Available in Tape & Reel 4 5 G2 D2 Dynamic dv/dt Rating RDS(on) = 0.105 Fast Switching Top View Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniqu

 7.3. Size:158K  international rectifier
irf7342pbf.pdfpdf_icon

IRF7342TR

PD - 95200 IRF7342PbF HEXFET Power MOSFET l Generation V Technology l Ultra Low On-Resistance 1 8 l Dual P-Channel Mosfet S1 D1 VDSS = -55V l Surface Mount 2 7 G1 D1 l Available in Tape & Reel 3 6 S2 D2 l Dynamic dv/dt Rating 4 5 G2 D2 l Fast Switching RDS(on) = 0.105 l Lead-Free Top View Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanc

Другие IGBT... IRF7313TR, IRF7314TRPBF, IRF7317TR, IRF7319TR, IRF7321D2TRPBF, IRF7324TR, IRF7341TRPBF, IRF7342QTR, IRFZ48N, IRF7343QTR, IRF7343TRPBF, IRF7379TR, IRF7404TR, IRF7410TR, IRF7413TRPBF, IRF7416TRPBF, IRF7424TRPBF