IRF7410TR MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

IRF7410TR MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRF7410TR

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 12 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 235 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0050 typ Ohm

Encapsulados: SO8

Búsqueda de reemplazo de IRF7410TR MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

IRF7410TR datasheet

..1. Size:798K cn vbsemi
irf7410tr.pdf pdf_icon

IRF7410TR www.VBsemi.tw P-Channel 12-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Definition 0.0050 at VGS = - 4.5 V - 16 TrenchFET Power MOSFET 0.0065 at VGS = - 2.5 V - 12 - 15 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 0.0100 at VGS = - 1.8 V - 13 APPLICATIONS Load Switch Battery Switch S

7.1. Size:195K international rectifier
irf7410pbf-1.pdf pdf_icon

IRF7410TRPbF-1 HEXFET Power MOSFET VDS -12 V A 1 8 S D RDS(on) max 7 2 7 (@V = -4.5V) D GS S RDS(on) max 3 6 S 9 m D (@V = -2.5V) GS 4 5 G D RDS(on) max 13 (@V = -1.8V) GS SO-8 Top View Qg (typical) 91 nC ID -16 A (@T = 25 C) A Features Benefits Industry-standard pinout SO-8 Package Multi-Vendor Compatibility Compatible with Existing Surface Mount T

7.2. Size:208K international rectifier
irf7410gpbf.pdf pdf_icon

PD - 96247 IRF7410GPbF HEXFET Power MOSFET l Ultra Low On-Resistance VDSS RDS(on) max ID l P-Channel MOSFET -12V 7m @VGS = -4.5V -16A l Surface Mount 9m @VGS = -2.5V -13.6A l Available in Tape & Reel 13m @VGS = -1.8V -11.5A l Lead-Free l Halogen-Free Description A These P-Channel HEXFET Power MOSFETs from 1 8 S D International Rectifier utilize advanced processing

7.3. Size:102K international rectifier
irf7410.pdf pdf_icon

PD - 94025 IRF7410 HEXFET Power MOSFET Ultra Low On-Resistance VDSS RDS(on) max ID P-Channel MOSFET -12V 7m @VGS = -4.5V -16A Surface Mount 9m @VGS = -2.5V -13.6A Available in Tape & Reel 13m @VGS = -1.8V -11.5A Description A These P-Channel HEXFET Power MOSFETs from 1 8 S D International Rectifier utilize advanced processing 2 7 techniques to achieve the extrem

Otros transistores... IRF7324TR, IRF7341TRPBF, IRF7342QTR, IRF7342TR, IRF7343QTR, IRF7343TRPBF, IRF7379TR, IRF7404TR, IRFB7545, IRF7413TRPBF, IRF7416TRPBF, IRF7424TRPBF, IRF7425TR, IRF7455TR, IRF7463TR, IRF7467TR, IRF7468TR

IRF7410TR Todos los transistores