IRF7425TR Todos los transistores

 

IRF7425TR MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRF7425TR
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.7 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10.9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 455 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.011(typ) Ohm
   Paquete / Cubierta: SO8
 

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IRF7425TR Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1476K  cn vbsemi
irf7425tr.pdf pdf_icon

IRF7425TR

IRF7425TRwww.VBsemi.twP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.011 at VGS = - 10 V - 13.5 100 % Rg TestedRoHS- 30 29.5 nCCOMPLIANT 100 % UIS Tested0.015 at VGS = - 4.5 V - 11.6APPLICATIONS Load Switch Notebook Adaptor SwitchSO-8 S S1 8 DS D2 7G

 7.1. Size:192K  international rectifier
irf7425pbf.pdf pdf_icon

IRF7425TR

IRF7425PbFHEXFET Power MOSFETVDS -20 VA1 8RDS(on) max S D8.2(@V = -4.5V) 2 7GSS DmRDS(on) max 3 613S D(@V = -2.5V)GS4 5Qg (typical) 87 nC G DID -15 ASO-8Top View(@T = 25C)AFeatures BenefitsIndustry-standard pinout SO-8 Package Multi-Vendor CompatibilityCompatible with Existing Surface Mount Techniques Easier ManufacturingRoHS Co

 7.2. Size:91K  international rectifier
irf7425.pdf pdf_icon

IRF7425TR

PD- 94022AIRF7425HEXFET Power MOSFET Ultra Low On-Resistance)VDSS RDS(on) max (m) ID))) P-Channel MOSFET20V 8.2@VGS = -4.5V -15A Surface Mount13@VGS = -2.5V -13A Available in Tape & ReelA1 8Description S DThese P-Channel HEXFET Power MOSFETs from2 7S DInternational Rectifier utilize advanced processing3 6techniques to achieve the ex

 7.3. Size:182K  international rectifier
irf7425pbf-1.pdf pdf_icon

IRF7425TR

IRF7425PbF-1HEXFET Power MOSFETVDS -20 VA1 8S DRDS(on) max 8.22 7(@V = -4.5V) S DGSmRDS(on) max 3 6S D13(@V = -2.5V)GS4 5G DQg (typical) 87 nCID SO-8-15 A Top View(@T = 25C)AFeatures BenefitsIndustry-standard pinout SO-8 Package Multi-Vendor CompatibilityCompatible with Existing Surface Mount Techniques Easier ManufacturingRoH

Otros transistores... IRF7343QTR , IRF7343TRPBF , IRF7379TR , IRF7404TR , IRF7410TR , IRF7413TRPBF , IRF7416TRPBF , IRF7424TRPBF , MMD60R360PRH , IRF7455TR , IRF7463TR , IRF7467TR , IRF7468TR , IRF7469TR , IRF7470TRPBF-10 , IRF7471TR , IRF7473TR .

History: NCE2312A | IPI60R299CP | 2SK988 | SI7115DN | SKQ50N03BD | SSF7509J7 | IRFH5006

 

 
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