IRF7425TR MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

IRF7425TR MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRF7425TR

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.7 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10.9 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 455 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.011 typ Ohm

Encapsulados: SO8

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IRF7425TR datasheet

..1. Size:1476K cn vbsemi
irf7425tr.pdf pdf_icon

IRF7425TR www.VBsemi.tw P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)d Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.011 at VGS = - 10 V - 13.5 100 % Rg Tested RoHS - 30 29.5 nC COMPLIANT 100 % UIS Tested 0.015 at VGS = - 4.5 V - 11.6 APPLICATIONS Load Switch Notebook Adaptor Switch SO-8 S S 1 8 D S D 2 7 G

7.1. Size:192K international rectifier
irf7425pbf.pdf pdf_icon

IRF7425PbF HEXFET Power MOSFET VDS -20 V A 1 8 RDS(on) max S D 8.2 (@V = -4.5V) 2 7 GS S D m RDS(on) max 3 6 13 S D (@V = -2.5V) GS 4 5 Qg (typical) 87 nC G D ID -15 A SO-8 Top View (@T = 25 C) A Features Benefits Industry-standard pinout SO-8 Package Multi-Vendor Compatibility Compatible with Existing Surface Mount Techniques Easier Manufacturing RoHS Co

7.2. Size:91K international rectifier
irf7425.pdf pdf_icon

PD- 94022A IRF7425 HEXFET Power MOSFET Ultra Low On-Resistance ) VDSS RDS(on) max (m ) ID ) ) ) P-Channel MOSFET 20V 8.2@VGS = -4.5V -15A Surface Mount 13@VGS = -2.5V -13A Available in Tape & Reel A 1 8 Description S D These P-Channel HEXFET Power MOSFETs from 2 7 S D International Rectifier utilize advanced processing 3 6 techniques to achieve the ex

7.3. Size:182K international rectifier
irf7425pbf-1.pdf pdf_icon

IRF7425PbF-1 HEXFET Power MOSFET VDS -20 V A 1 8 S D RDS(on) max 8.2 2 7 (@V = -4.5V) S D GS m RDS(on) max 3 6 S D 13 (@V = -2.5V) GS 4 5 G D Qg (typical) 87 nC ID SO-8 -15 A Top View (@T = 25 C) A Features Benefits Industry-standard pinout SO-8 Package Multi-Vendor Compatibility Compatible with Existing Surface Mount Techniques Easier Manufacturing RoH

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