IRF7425TR MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IRF7425TR
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.7 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 10.9 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 57 nC
Время нарастания (tr): 12 ns
Выходная емкость (Cd): 455 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.011(typ) Ohm
Тип корпуса: SO8
IRF7425TR Datasheet (PDF)
irf7425tr.pdf
IRF7425TRwww.VBsemi.twP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.011 at VGS = - 10 V - 13.5 100 % Rg TestedRoHS- 30 29.5 nCCOMPLIANT 100 % UIS Tested0.015 at VGS = - 4.5 V - 11.6APPLICATIONS Load Switch Notebook Adaptor SwitchSO-8 S S1 8 DS D2 7G
irf7425pbf.pdf
PD- 96062IRF7425PbFHEXFET Power MOSFETl Ultra Low On-ResistanceVDSS RDS(on) max (mW) IDl P-Channel MOSFET20V 8.2@VGS = -4.5V -15Al Surface Mount13@VGS = -2.5V -13Al Available in Tape & Reell Lead-FreeA1 8Description S DThese P-Channel HEXFET Power MOSFETs from2 7S DInternational Rectifier utilize advanced processing3 6techniques to achieve the extremely
irf7425.pdf
PD- 94022AIRF7425HEXFET Power MOSFET Ultra Low On-Resistance)VDSS RDS(on) max (m) ID))) P-Channel MOSFET20V 8.2@VGS = -4.5V -15A Surface Mount13@VGS = -2.5V -13A Available in Tape & ReelA1 8Description S DThese P-Channel HEXFET Power MOSFETs from2 7S DInternational Rectifier utilize advanced processing3 6techniques to achieve the ex
irf7425pbf-1.pdf
IRF7425PbF-1HEXFET Power MOSFETVDS -20 VA1 8S DRDS(on) max 8.22 7(@V = -4.5V) S DGSmRDS(on) max 3 6S D13(@V = -2.5V)GS4 5G DQg (typical) 87 nCID SO-8-15 A Top View(@T = 25C)AFeatures BenefitsIndustry-standard pinout SO-8 Package Multi-Vendor CompatibilityCompatible with Existing Surface Mount Techniques Easier ManufacturingRoH
irf7425pbf.pdf
IRF7425PbFHEXFET Power MOSFETVDS -20 VA1 8RDS(on) max S D8.2(@V = -4.5V) 2 7GSS DmRDS(on) max 3 613S D(@V = -2.5V)GS4 5Qg (typical) 87 nC G DID -15 ASO-8Top View(@T = 25C)AFeatures BenefitsIndustry-standard pinout SO-8 Package Multi-Vendor CompatibilityCompatible with Existing Surface Mount Techniques Easier ManufacturingRoHS Co
Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF540N , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .
