IRF8010SP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IRF8010SP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 250 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 100 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 100 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
   Carga de la puerta (Qg): 105 nC
   Tiempo de subida (tr): 90 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 665 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.01(typ) Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRF8010SP

IRF8010SP Datasheet (PDF)

..1. Size:1397K cn vbsemi
irf8010sp.pdf

IRF8010SPwww.VBsemi.twN-Channel 100-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A) 175 C Maximum Junction Temperature0.010 at VGS = 10 V100100 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.023 at VGS = 4.5 V85D TO-263G G D S Top ViewS N-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C, unless otherwise n

0.1. Size:224K international rectifier
irf8010spbf.pdf

PD - 95433IRF8010SPbFSMPS MOSFETIRF8010LPbFApplicationsHEXFET Power MOSFETl High frequency DC-DC convertersl UPS and Motor ControlVDSS RDS(on) max IDl Lead-Free100V 15m 80ABenefitsl Low Gate-to-Drain Charge to ReduceSwitching Lossesl Fully Characterized Capacitance IncludingEffective COSS to Simplify Design, (SeeApp. Note AN1001)TO-262D2Pakl Fully C

0.2. Size:224K international rectifier
irf8010lpbf irf8010spbf.pdf