IRF8010SP MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IRF8010SP
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 250 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 100 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 105 nC
Время нарастания (tr): 90 ns
Выходная емкость (Cd): 665 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.01(typ) Ohm
Тип корпуса: TO263
IRF8010SP Datasheet (PDF)
irf8010sp.pdf
IRF8010SPwww.VBsemi.twN-Channel 100-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A) 175 C Maximum Junction Temperature0.010 at VGS = 10 V100100 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.023 at VGS = 4.5 V85D TO-263G G D S Top ViewS N-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C, unless otherwise n
irf8010spbf.pdf
PD - 95433IRF8010SPbFSMPS MOSFETIRF8010LPbFApplicationsHEXFET Power MOSFETl High frequency DC-DC convertersl UPS and Motor ControlVDSS RDS(on) max IDl Lead-Free100V 15m 80ABenefitsl Low Gate-to-Drain Charge to ReduceSwitching Lossesl Fully Characterized Capacitance IncludingEffective COSS to Simplify Design, (SeeApp. Note AN1001)TO-262D2Pakl Fully C
irf8010lpbf irf8010spbf.pdf
PD - 95433IRF8010SPbFSMPS MOSFETIRF8010LPbFApplicationsHEXFET Power MOSFETl High frequency DC-DC convertersl UPS and Motor ControlVDSS RDS(on) max IDl Lead-Free100V 15m 80ABenefitsl Low Gate-to-Drain Charge to ReduceSwitching Lossesl Fully Characterized Capacitance IncludingEffective COSS to Simplify Design, (SeeApp. Note AN1001)TO-262D2Pakl Fully C
irf8010spbf irf8010lpbf.pdf
PD - 95433IRF8010SPbFSMPS MOSFETIRF8010LPbFApplicationsHEXFET Power MOSFETl High frequency DC-DC convertersl UPS and Motor ControlVDSS RDS(on) max IDl Lead-Free100V 15m 80ABenefitsl Low Gate-to-Drain Charge to ReduceSwitching Lossesl Fully Characterized Capacitance IncludingEffective COSS to Simplify Design, (SeeApp. Note AN1001)TO-262D2Pakl Fully C
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
