IRF830ASTRL-FP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRF830ASTRL-FP
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 34 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 650 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 10 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 43 nC
Tiempo de subida (tr): 11 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 70 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.86(typ) Ohm
Paquete / Cubierta: TO220F
Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRF830ASTRL-FP
IRF830ASTRL-FP Datasheet (PDF)
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IRF830ASTRLwww.VBsemi.twN-Channel 650V (D-S) Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARYVDS (V) at TJ max. 670 Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg Available Low input capacitance (Ciss) RoHSRDS(on) max. at 25 C () VGS = 10 V 0.8643 Reduced switching and conduction lossesQg max. (nC) Ultra low gate charge (Qg)5Qgs (nC) Avalanche energy rated (UIS)22Qgd
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PD- 92006ASMPS MOSFETIRF830AS/LHEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS RDS(on) max ID Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptable Power Supply 500V 1.40 5.0A High Speed Power SwitchingBenefits Low Gate Charge Qg Results in SimpleDrive Requirement Improved Gate, Avalanche and Dynamicdv/dt Ruggedness Fully Characterized Capacitance andAvalanche Voltage and Curre
irf830aspbf irf830alpbf.pdf
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PD- 95139SMPS MOSFETIRF830AS/LPbFHEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS RDS(on) max ID Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptable Power Supply 500V 1.40 5.0A High Speed Power Switching Lead-FreeBenefits Low Gate Charge Qg Results in SimpleDrive Requirement Improved Gate, Avalanche and Dynamicdv/dt Ruggedness Fully Characterized Capacitance andAvalanche Vol
irf830alpbf irf830aspbf sihf830al sihf830as.pdf
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IRF830AS, IRF830AL, SiHF830AS, SiHF830ALVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 500DefinitionRDS(on) (Max.) ()VGS = 10 V 1.40 Low Gate Charge Qg Results in Simple DriveQg (Max.) (nC) 24RequirementQgs (nC) 6.3 Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dtQgd (nC) 11 Ruggedness Fully Characterize
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