IRF830ASTRL-FP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IRF830ASTRL-FP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 34 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 43 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 70 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.86(typ) Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRF830ASTRL-FP

IRF830ASTRL-FP Datasheet (PDF)

3.1. Size:880K cn vbsemi
irf830astrl.pdf

IRF830ASTRLwww.VBsemi.twN-Channel 650V (D-S) Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARYVDS (V) at TJ max. 670 Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg Available Low input capacitance (Ciss) RoHSRDS(on) max. at 25 C () VGS = 10 V 0.8643 Reduced switching and conduction lossesQg max. (nC) Ultra low gate charge (Qg)5Qgs (nC) Avalanche energy rated (UIS)22Qgd

6.1. Size:155K international rectifier
irf830as.pdf

PD- 92006ASMPS MOSFETIRF830AS/LHEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS RDS(on) max ID Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptable Power Supply 500V 1.40 5.0A High Speed Power SwitchingBenefits Low Gate Charge Qg Results in SimpleDrive Requirement Improved Gate, Avalanche and Dynamicdv/dt Ruggedness Fully Characterized Capacitance andAvalanche Voltage and Curre

6.2. Size:676K international rectifier
irf830aspbf irf830alpbf.pdf

PD- 95139SMPS MOSFETIRF830AS/LPbFHEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS RDS(on) max ID Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptable Power Supply 500V 1.40 5.0A High Speed Power Switching Lead-FreeBenefits Low Gate Charge Qg Results in SimpleDrive Requirement Improved Gate, Avalanche and Dynamicdv/dt Ruggedness Fully Characterized Capacitance andAvalanche Vol

6.3. Size:207K vishay
irf830alpbf irf830aspbf sihf830al sihf830as.pdf

IRF830AS, IRF830AL, SiHF830AS, SiHF830ALVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 500DefinitionRDS(on) (Max.) ()VGS = 10 V 1.40 Low Gate Charge Qg Results in Simple DriveQg (Max.) (nC) 24RequirementQgs (nC) 6.3 Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dtQgd (nC) 11 Ruggedness Fully Characterize

Otros transistores... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: