IRFL210TRPBF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IRFL210TRPBF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 3.1 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 200 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 1 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
   Carga de la puerta (Qg): 8.2(max) nC
   Tiempo de subida (tr): 17 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 53 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 1.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT223

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRFL210TRPBF

IRFL210TRPBF Datasheet (PDF)

..1. Size:1687K cn vbsemi
irfl210trpbf.pdf

IRFL210TRPBFwww.VBsemi.twN-Channel 200 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Available in tape and reelVDS (V) 200 Dynamic dV/dt ratingRDS(on) ()VGS = 10 V 1.2 Repetitive avalanche ratedQg (Max.) (nC) 8.2 Fast switchingQgs (nC) 1.8 Ease of parallelingAvailableQgd (nC) 4.5 Simple drive requirementsConfiguration SingleDSOT-223DGSD

7.1. Size:182K international rectifier
irfl210.pdf

7.2. Size:803K international rectifier
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PD- 95228IRFL210PbF Lead-Free04/28/04Document Number: 91193 www.vishay.com1IRFL210PbFDocument Number: 91193 www.vishay.com2IRFL210PbFDocument Number: 91193 www.vishay.com3IRFL210PbFDocument Number: 91193 www.vishay.com4IRFL210PbFDocument Number: 91193 www.vishay.com5IRFL210PbFDocument Number: 91193 www.vishay.com6IRFL210PbFDocument Number: 91

7.3. Size:170K vishay
irfl210 sihfl210.pdf

IRFL210, SiHFL210Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 200DefinitionRDS(on) ()VGS = 10 V 1.5 Surface MountQg (Max.) (nC) 8.2 Available in Tape and ReelQgs (nC) 1.8 Dynamic dV/dt RatingQgd (nC) 4.5 Repetitive Avalanche RatedConfiguration Single Fast Switching Ease of Parallelin

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Liste

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