IRFL210TRPBF Todos los transistores

 

IRFL210TRPBF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRFL210TRPBF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 53 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT223
 

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IRFL210TRPBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1687K  cn vbsemi
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IRFL210TRPBF

IRFL210TRPBFwww.VBsemi.twN-Channel 200 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Available in tape and reelVDS (V) 200 Dynamic dV/dt ratingRDS(on) ()VGS = 10 V 1.2 Repetitive avalanche ratedQg (Max.) (nC) 8.2 Fast switchingQgs (nC) 1.8 Ease of parallelingAvailableQgd (nC) 4.5 Simple drive requirementsConfiguration SingleDSOT-223DGSD

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IRFL210TRPBF

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IRFL210TRPBF

PD- 95228IRFL210PbF Lead-Free04/28/04Document Number: 91193 www.vishay.com1IRFL210PbFDocument Number: 91193 www.vishay.com2IRFL210PbFDocument Number: 91193 www.vishay.com3IRFL210PbFDocument Number: 91193 www.vishay.com4IRFL210PbFDocument Number: 91193 www.vishay.com5IRFL210PbFDocument Number: 91193 www.vishay.com6IRFL210PbFDocument Number: 91

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IRFL210TRPBF

IRFL210, SiHFL210Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 200DefinitionRDS(on) ()VGS = 10 V 1.5 Surface MountQg (Max.) (nC) 8.2 Available in Tape and ReelQgs (nC) 1.8 Dynamic dV/dt RatingQgd (nC) 4.5 Repetitive Avalanche RatedConfiguration Single Fast Switching Ease of Parallelin

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History: WSD40120DN56G | SW1N60A | SSM9918GJ | WST6402 | SIHG47N60AEF | SUN0765F | NCEP080N10A

 

 
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