IRFL9110TRPBF MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRFL9110TRPBF
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 55 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 51 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.2 typ Ohm
Encapsulados: SOT223
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IRFL9110TRPBF datasheet
irfl9110trpbf.pdf
IRFL9110TRPBF www.VBsemi.tw P-Channel 100-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) 100% Rg and UIS Tested 0.200 at VGS = - 10 V - 3.0 - 100 13.2 nC 0.230 at VGS = - 6 V - 2.4 APPLICATIONS Available Active Clamp in Intermediate DC/ DC Power Supplies S H-Bridge High Side Switch for Lighting Application
irfl9110pbf.pdf
PD - 95320 IRFL9110PbF HEXFET Power MOSFET Surface Mount Available in Tape & Reel D VDSS = -100V Dynamic dv/dt Rating Repetitive Avalanche Rated P-Channel RDS(on) = 1.2 Fast Switching G Ease of Paralleling Lead-Free ID = -1.1A S Description Third Generation HEXFETs from International Rectifier provide the designer with the best combination of fast switching, rugg
Otros transistores... IRFBC30P , IRFH3702TR , IRFI9540GP , IRFIZ24GP , IRFL110TR , IRFL210TRPBF , IRFL4310TR , IRFL9014TRPBF , STP75NF75 , IRFR024NTR , IRFR110TR , IRFR1205TR , IRFR120NTRPBF , IRFR120TR , IRFR13N15DTR , IRFR13N20DTR , IRFR15N20DTR .
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Liste
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MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
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