IRFR120NTRPBF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IRFR120NTRPBF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 96 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 24 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.114(typ) Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRFR120NTRPBF

IRFR120NTRPBF Datasheet (PDF)

..1. Size:764K cn vbsemi
irfr120ntrpbf.pdf

IRFR120NTRPBFwww.VBsemi.twN-Channel 100 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A) 175 C Junction Temperature1000.11 4 at VGS = 10 V15 PWM Optimized 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Primary Side SwitchDTO-252 GSG D S N-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RAT

6.1. Size:390K international rectifier
irfr120npbf irfu120npbf.pdf

PD - 95067AIRFR/U120NPbF Lead-Freewww.irf.com 112/9/04IRFR/U120NPbF2 www.irf.comIRFR/U120NPbFwww.irf.com 3IRFR/U120NPbF4 www.irf.comIRFR/U120NPbFwww.irf.com 5IRFR/U120NPbF6 www.irf.comIRFR/U120NPbFwww.irf.com 7IRFR/U120NPbFD-Pak (TO-252AA) Package OutlineDimensions are shown in millimeters (inches)D-Pak (TO-252AA) Part Marking InformationEXAMP

6.2. Size:142K international rectifier
irfr120n.pdf

PD - 91365BIRFR/U120NHEXFET Power MOSFET Surface Mount (IRFR120N)D Straight Lead (IRFU120N)VDSS = 100V Advanced Process Technology Fast SwitchingRDS(on) = 0.21 Fully Avalanche RatedGDescriptionID = 9.4ASFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achieve thelowest possible on-resistance per silicon area. T

6.3. Size:390K infineon
irfr120npbf irfu120npbf.pdf

6.4. Size:241K inchange semiconductor
irfr120n.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor IRFR120N, IIRFR120NFEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)210mEnhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONFast switchingABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage 100 VDSSV Gat

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: