Справочник MOSFET. IRFR120NTRPBF

 

IRFR120NTRPBF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRFR120NTRPBF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 96 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 24 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.114(typ) Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для IRFR120NTRPBF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFR120NTRPBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:764K  cn vbsemi
 irfr120ntrpbf.pdf pdf_icon

IRFR120NTRPBF

IRFR120NTRPBFwww.VBsemi.twN-Channel 100 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A) 175 C Junction Temperature1000.11 4 at VGS = 10 V15 PWM Optimized 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Primary Side SwitchDTO-252 GSG D S N-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RAT

 6.1. Size:390K  international rectifier
 irfr120npbf irfu120npbf.pdf pdf_icon

IRFR120NTRPBF

PD - 95067AIRFR/U120NPbF Lead-Freewww.irf.com 112/9/04IRFR/U120NPbF2 www.irf.comIRFR/U120NPbFwww.irf.com 3IRFR/U120NPbF4 www.irf.comIRFR/U120NPbFwww.irf.com 5IRFR/U120NPbF6 www.irf.comIRFR/U120NPbFwww.irf.com 7IRFR/U120NPbFD-Pak (TO-252AA) Package OutlineDimensions are shown in millimeters (inches)D-Pak (TO-252AA) Part Marking InformationEXAMP

 6.2. Size:142K  international rectifier
 irfr120n.pdf pdf_icon

IRFR120NTRPBF

PD - 91365BIRFR/U120NHEXFET Power MOSFET Surface Mount (IRFR120N)D Straight Lead (IRFU120N)VDSS = 100V Advanced Process Technology Fast SwitchingRDS(on) = 0.21 Fully Avalanche RatedGDescriptionID = 9.4ASFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achieve thelowest possible on-resistance per silicon area. T

 6.3. Size:241K  inchange semiconductor
 irfr120n.pdf pdf_icon

IRFR120NTRPBF

isc N-Channel MOSFET Transistor IRFR120N, IIRFR120NFEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)210mEnhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONFast switchingABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage 100 VDSSV Gat

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFL110TR , IRFL210TRPBF , IRFL4310TR , IRFL9014TRPBF , IRFL9110TRPBF , IRFR024NTR , IRFR110TR , IRFR1205TR , 5N60 , IRFR120TR , IRFR13N15DTR , IRFR13N20DTR , IRFR15N20DTR , IRFR2307ZTR , IRFR310P , IRFR310T , IRFR3410TR .

History: SFG10R140DF | WMO15N70C4

 

 
Back to Top

 


 
.