IRFR13N15DTR MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IRFR13N15DTR
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 5.9 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 28.5 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 160 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.074(typ) Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRFR13N15DTR

IRFR13N15DTR Datasheet (PDF)

..1. Size:2559K cn vbsemi
irfr13n15dtr.pdf

IRFR13N15DTRwww.VBsemi.twN-Channel 150 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.074 at VGS = 10 V 25.4 Extremely Low Qgd for Switching Losses150 23 nC0.077 at VGS = 8 V 22.5 100 % Rg Tested 100 % Avalanche Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECDAPPLICATION

4.1. Size:128K international rectifier
irfr13n15d.pdf

PD - 93905AIRFR13N15DSMPS MOSFET IRFU13N15DHEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS RDS(on) max ID High frequency DC-DC converters150V 0.18 14ABenefits Low Gate-to-Drain Charge to ReduceSwitching Losses Fully Characterized Capacitance IncludingEffective COSS to Simplify Design, (SeeApp. Note AN1001) Fully Characterized Avalanche VoltageD-Pak I-Pakand CurrentI

4.2. Size:222K international rectifier
irfu13n15dpbf irfr13n15dpbf.pdf

PD - 95549AIRFR13N15DPbF IRFU13N15DPbFSMPS MOSFETHEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS RDS(on) max IDl High frequency DC-DC converters150V 0.18 14Al Lead-FreeBenefitsl Low Gate-to-Drain Charge to ReduceSwitching Lossesl Fully Characterized Capacitance IncludingEffective COSS to Simplify Design, (SeeApp. Note AN1001)l Fully Characterized Avalanche VoltageD-Pa

4.3. Size:222K international rectifier
irfr13n15dpbf.pdf

4.4. Size:222K infineon
irfr13n15dpbf irfr13n15dpbf.pdf

4.5. Size:242K inchange semiconductor
irfr13n15d.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor IRFR13N15D, IIRFR13N15DFEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)180mEnhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONHigh frequency DC-DC convertersABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Volt

Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: