IRFR13N15DTR Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: IRFR13N15DTR
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5.9 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25.4 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 28.5 nC
tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 160 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.074(typ) Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для IRFR13N15DTR
IRFR13N15DTR Datasheet (PDF)
irfr13n15dtr.pdf

IRFR13N15DTRwww.VBsemi.twN-Channel 150 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.074 at VGS = 10 V 25.4 Extremely Low Qgd for Switching Losses150 23 nC0.077 at VGS = 8 V 22.5 100 % Rg Tested 100 % Avalanche Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECDAPPLICATION
irfr13n15d.pdf

PD - 93905AIRFR13N15DSMPS MOSFET IRFU13N15DHEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS RDS(on) max ID High frequency DC-DC converters150V 0.18 14ABenefits Low Gate-to-Drain Charge to ReduceSwitching Losses Fully Characterized Capacitance IncludingEffective COSS to Simplify Design, (SeeApp. Note AN1001) Fully Characterized Avalanche VoltageD-Pak I-Pakand CurrentI
irfr13n15dpbf irfr13n15dpbf.pdf

PD - 95549AIRFR13N15DPbF IRFU13N15DPbFSMPS MOSFETHEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS RDS(on) max IDl High frequency DC-DC converters150V 0.18 14Al Lead-FreeBenefitsl Low Gate-to-Drain Charge to ReduceSwitching Lossesl Fully Characterized Capacitance IncludingEffective COSS to Simplify Design, (SeeApp. Note AN1001)l Fully Characterized Avalanche VoltageD-Pa
irfu13n15dpbf irfr13n15dpbf.pdf

PD - 95549AIRFR13N15DPbF IRFU13N15DPbFSMPS MOSFETHEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS RDS(on) max IDl High frequency DC-DC converters150V 0.18 14Al Lead-FreeBenefitsl Low Gate-to-Drain Charge to ReduceSwitching Lossesl Fully Characterized Capacitance IncludingEffective COSS to Simplify Design, (SeeApp. Note AN1001)l Fully Characterized Avalanche VoltageD-Pa
Другие MOSFET... IRFL4310TR , IRFL9014TRPBF , IRFL9110TRPBF , IRFR024NTR , IRFR110TR , IRFR1205TR , IRFR120NTRPBF , IRFR120TR , SPP20N60C3 , IRFR13N20DTR , IRFR15N20DTR , IRFR2307ZTR , IRFR310P , IRFR310T , IRFR3410TR , IRFR3411TR , IRFR3707ZTR .
History: WNM2046B | FDMS86540



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
Popular searches
ksc1815 | bu406 | j201 datasheet | 2n5088 datasheet | irfp064n | tip31 transistor | 2sc1384 | mj21196g