IRFR4510TR MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRFR4510TR
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 210 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 100 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 85 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3 V
Carga de la puerta (Qg): 105 nC
Tiempo de subida (tr): 90 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 565 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.01 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRFR4510TR
IRFR4510TR Datasheet (PDF)
irfr4510tr.pdf
IRFR4510TRwww.VBsemi.twN-Channel 100-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A) 100 % Rg Tested0.0075 at VGS = 10 V85100 100 % UIS Tested0.0095 at VGS = 4.5 V75APPLICATIONS Primary Side Switch Isolated DC/DC ConverterTO-252 D G G D S S N-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C,
irfr4510pbf irfu4510pbf.pdf
PD - 97784IRFR4510PbFIRFU4510PbFHEXFET Power MOSFETApplications DVDSS 100Vl High Efficiency Synchronous Rectification in SMPSRDS(on) typ. 11.1ml Uninterruptible Power Supply max. 13.9ml High Speed Power SwitchingGID (Silicon Limited) 63Al Hard Switched and High Frequency CircuitsS ID (Package Limited) 56ABenefitsl Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/d
irfr4510pbf irfu4510pbf.pdf
PD - 97784IRFR4510PbFIRFU4510PbFHEXFET Power MOSFETApplications DVDSS 100Vl High Efficiency Synchronous Rectification in SMPSRDS(on) typ. 11.1ml Uninterruptible Power Supply max. 13.9ml High Speed Power SwitchingGID (Silicon Limited) 63Al Hard Switched and High Frequency CircuitsS ID (Package Limited) 56ABenefitsl Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/d
irfr4510.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor IRFR4510, IIRFR4510FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)13.9mEnhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONHigh Speed Power SwitchingABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage 100
Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
