Справочник MOSFET. IRFR4510TR

 

IRFR4510TR MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IRFR4510TR
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 210 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 85 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 105 nC
   trⓘ - Время нарастания: 90 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 565 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm
   Тип корпуса: TO252

 Аналог (замена) для IRFR4510TR

 

 

IRFR4510TR Datasheet (PDF)

 ..1. Size:3005K  cn vbsemi
 irfr4510tr.pdf

IRFR4510TR IRFR4510TR

IRFR4510TRwww.VBsemi.twN-Channel 100-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A) 100 % Rg Tested0.0075 at VGS = 10 V85100 100 % UIS Tested0.0095 at VGS = 4.5 V75APPLICATIONS Primary Side Switch Isolated DC/DC ConverterTO-252 D G G D S S N-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C,

 6.1. Size:301K  international rectifier
 irfr4510pbf irfu4510pbf.pdf

IRFR4510TR IRFR4510TR

PD - 97784IRFR4510PbFIRFU4510PbFHEXFET Power MOSFETApplications DVDSS 100Vl High Efficiency Synchronous Rectification in SMPSRDS(on) typ. 11.1ml Uninterruptible Power Supply max. 13.9ml High Speed Power SwitchingGID (Silicon Limited) 63Al Hard Switched and High Frequency CircuitsS ID (Package Limited) 56ABenefitsl Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/d

 6.2. Size:301K  infineon
 irfr4510pbf irfu4510pbf.pdf

IRFR4510TR IRFR4510TR

PD - 97784IRFR4510PbFIRFU4510PbFHEXFET Power MOSFETApplications DVDSS 100Vl High Efficiency Synchronous Rectification in SMPSRDS(on) typ. 11.1ml Uninterruptible Power Supply max. 13.9ml High Speed Power SwitchingGID (Silicon Limited) 63Al Hard Switched and High Frequency CircuitsS ID (Package Limited) 56ABenefitsl Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/d

 6.3. Size:242K  inchange semiconductor
 irfr4510.pdf

IRFR4510TR IRFR4510TR

isc N-Channel MOSFET Transistor IRFR4510, IIRFR4510FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)13.9mEnhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONHigh Speed Power SwitchingABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage 100

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top