FDA20N50F Todos los transistores

 

FDA20N50F MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FDA20N50F

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 388 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 22 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.26 Ohm

Encapsulados: TO3PN

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FDA20N50F datasheet

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FDA20N50F

October 2007 UniFETTM FDA20N50F tm N-Channel MOSFET 500V, 22A, 0.26 Features Description RDS(on) = 0.22 ( Typ.) @ VGS = 10V, ID = 11A These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Failchild s proprietary, planar Low gate charge ( Typ. 50nC ) stripe, DMOS technology. Low Crss ( Typ. 27pF ) This advance technology has been es

 6.1. Size:740K  fairchild semi
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FDA20N50F

July 2007 TM UniFET FDA20N50 / FDA20N50_F109 500V N-Channel MOSFET Features Description 22A, 500V, RDS(on) = 0.23 @VGS = 10 V These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild s proprietary, planar Low gate charge ( typical 45.6 nC) stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 27 pF) This advanced technology has been especial

Otros transistores... STU419A , FCPF9N60NT , STU417S , FDA032N08 , FDA15N65 , FDA16N50F109 , FDA18N50 , FDA20N50F109 , IRFB7545 , FDA24N40F , STU402D , FDA24N50 , FDA24N50F , FDA28N50 , FDA28N50F , FDA33N25 , FDA38N30 .

 

 

 


 
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