FDA20N50F Todos los transistores

 

FDA20N50F MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FDA20N50F
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 388 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 22 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 50 nC
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.26 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO3PN
 

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FDA20N50F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:611K  fairchild semi
 fda20n50f.pdf pdf_icon

FDA20N50F

October 2007UniFETTMFDA20N50FtmN-Channel MOSFET 500V, 22A, 0.26Features Description RDS(on) = 0.22 ( Typ.) @ VGS = 10V, ID = 11A These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Failchilds proprietary, planar Low gate charge ( Typ. 50nC )stripe, DMOS technology. Low Crss ( Typ. 27pF )This advance technology has been es

 6.1. Size:740K  fairchild semi
 fda20n50 f109.pdf pdf_icon

FDA20N50F

July 2007TMUniFETFDA20N50 / FDA20N50_F109500V N-Channel MOSFETFeatures Description 22A, 500V, RDS(on) = 0.23 @VGS = 10 V These N-Channel enhancement mode power field effecttransistors are produced using Fairchilds proprietary, planar Low gate charge ( typical 45.6 nC)stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 27 pF)This advanced technology has been especial

Otros transistores... STU419A , FCPF9N60NT , STU417S , FDA032N08 , FDA15N65 , FDA16N50F109 , FDA18N50 , FDA20N50F109 , 8N60 , FDA24N40F , STU402D , FDA24N50 , FDA24N50F , FDA28N50 , FDA28N50F , FDA33N25 , FDA38N30 .

History: ZVN4306GTA | RU7550R | RU7580R

 

 
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