FDA20N50F MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: FDA20N50F
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 388 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 22 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 50 nC
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.26 Ohm
Тип корпуса: TO3PN
FDA20N50F Datasheet (PDF)
fda20n50f.pdf
October 2007UniFETTMFDA20N50FtmN-Channel MOSFET 500V, 22A, 0.26Features Description RDS(on) = 0.22 ( Typ.) @ VGS = 10V, ID = 11A These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Failchilds proprietary, planar Low gate charge ( Typ. 50nC )stripe, DMOS technology. Low Crss ( Typ. 27pF )This advance technology has been es
fda20n50 f109.pdf
July 2007TMUniFETFDA20N50 / FDA20N50_F109500V N-Channel MOSFETFeatures Description 22A, 500V, RDS(on) = 0.23 @VGS = 10 V These N-Channel enhancement mode power field effecttransistors are produced using Fairchilds proprietary, planar Low gate charge ( typical 45.6 nC)stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 27 pF)This advanced technology has been especial
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
