IRLML6302TRPBF Todos los transistores

 

IRLML6302TRPBF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRLML6302TRPBF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.035(typ) Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

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IRLML6302TRPBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:914K  cn vbsemi
 irlml6302trpbf.pdf pdf_icon

IRLML6302TRPBF

IRLML6302TRPBFwww.VBsemi.twP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESMOSFET PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.035 at VGS = - 10 V - 5e TrenchFET Power MOSFETe- 20 0.043 at VGS = - 4.5 V - 5 10 nC 100 % Rg Tested0.061 at VGS = - 2.5 V - 4.8 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATI

 5.1. Size:243K  international rectifier
 irlml6302gpbf.pdf pdf_icon

IRLML6302TRPBF

PD - 96159IRLML6302GPbFHEXFET Power MOSFETl Generation V Technologyl Ultra Low On-Resistancel P-Channel MOSFETVDSS = -20Vl SOT-23 Footprintl Low Profile (

 5.2. Size:300K  international rectifier
 irlml6302pbf.pdf pdf_icon

IRLML6302TRPBF

PD - 94947BIRLML6302PbFHEXFET Power MOSFETl Generation V Technologyl Ultra Low On-Resistancel P-Channel MOSFETVDSS = -20Vl SOT-23 Footprintl Low Profile (

 5.3. Size:100K  international rectifier
 irlml6302.pdf pdf_icon

IRLML6302TRPBF

PD - 9.1259DIRLML6302HEXFET Power MOSFET Generation V TechnologyD Ultra Low On-Resistance P-Channel MOSFET VDSS = -20V SOT-23 Footprint Low Profile (

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History: IRLML5203TRPBF | BUZ906DP | RCJ100N25 | 2SK3504-01 | IRLML6344GT | HCD90R1K6 | CMD50P03

 

 
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