SI2301B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SI2301B
   Código: A1SHB
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.35 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 5.5 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 75 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.12 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SI2301B

SI2301B Datasheet (PDF)

..1. Size:827K umw-ic
si2301b.pdf

RUMW UMW SI2301BUMW SI2301BUMW SI2301B P-Channel 20-V(D-S) MOSFET UMW SI2301BID V(BR)DSS RDS(on)MAX SOT-23 120 m@-4.5V-20V2.5Am@-2.5V150 1. GATE 2. SOURCE 3. DRAIN APPLICATION FEATURE z Load Switch for Portable Devices TrenchFET Power MOSFET z DC/DC Converter MARKING Equivalent Circuit A1SHBMaximum ratings (Ta=25 unless otherwise note

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si2301bds.pdf

Si2301BDSVishay SiliconixP-Channel 2.5-V (G-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free Option AvailableVDS (V) RDS(on) ()ID (A)bPb-free0.100 at VGS = - 4.5 V Available- 2.4- 200.150 at VGS = - 2.5 V RoHS*- 2.0COMPLIANTTO-236(SOT-23)G 13 DS 2Top ViewSi2301 BDS (L1)** Marking CodeOrdering Information: Si2301BDS-T1Si2301BDS-T1-E3 (Lead (Pb)

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si2301bds-3.pdf

SMD Type MOSFETP-Channel Enhancement MOSFET SI2301BDS (KI2301BDS)SOT-23-3Unit: mm+0.22.9-0.1+0.10.4 -0.1 Features3 VDS (V) =-20V RDS(ON) 100m (VGS =-4.5V) RDS(ON) 150m (VGS =-2.5V)1 2+0.02+0.10.15 -0.020.95 -0.1+0.11.9 -0.2G 13 D1. GateS 22. Source3. Drain Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol 5

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SMD Type MOSFETP-Channel Enhancement MOSFET SI2301BDS (KI2301BDS)SOT-23Unit: mm Features+0.12.9 -0.10.4+0.1-0.1 VDS (V) =-20V3 RDS(ON) 100m (VGS =-4.5V) RDS(ON) 150m (VGS =-2.5V)1 2+0.1+0.050.95 -0.1 0.1-0.01+0.11.9 -0.1G 11.Gate3 D2.SourceS 23.Drain Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol 5 sec Stea

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SI2301BDS-T1-GE3www.VBsemi.twP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESMOSFET PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.035 at VGS = - 10 V - 5e TrenchFET Power MOSFETe- 20 0.043 at VGS = - 4.5 V - 5 10 nC 100 % Rg Tested0.061 at VGS = - 2.5 V - 4.8 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICA

Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: